[發明專利]新型薄片鍵合方法

有效

• 申請號: 201410000439.4
• 申請日: 2014-01-02
• 公開（公告）號: CN103730383A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 胡強;王思亮;張世勇;櫻井建彌
• 申請（專利權）人: 中國東方電氣集團有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蘇丹

1.新型薄片鍵合方法，其特征在于：

步驟一，首先準備形狀與硅片相同的母片（110），采用未經減薄的硅片作為母片（110）或使用材料加工該形狀的母片（110）；所述步驟一中的母片（110）厚度為200μm到500μm；

步驟二，在靠近母片（110）邊緣的局部貼上耐高溫真空用雙面膠（210、211、212），所述耐高溫真空用雙面膠所在區域在距離母片邊沿1cm以內，貼耐高溫真空用雙面膠的位置不少于兩處；

所述耐高溫真空用雙面膠（210、211、212）為聚酰亞胺雙面膠帶，雙面涂覆硅膠，總厚度介于50μm~150μm；所述聚酰亞胺雙面膠帶面積為1mm²到100mm²之間；且所述聚酰亞胺雙面膠帶的寬度不超過1cm；

步驟三，在母片（110）上貼上硅片（310），所述硅片（310）包括多個半導體器件；?所述步驟三中所述硅片（310）的厚度需減薄至50μm到150μm?；

所述步驟三母片（110）上貼上硅片（310）對齊粘貼后，進行濺射、光刻、清洗、甩干、離子注入和刻蝕工序；

步驟四，上述工序結束后，將耐高溫真空用雙面膠（210、211、212）沿直線切割，切邊與雙面膠（210、211、212）內側邊的距離小于1cm，以保證完全切除雙面膠，硅片（310）最終形成。

2.根據權利要求1所述的新型薄片鍵合方法，其特征在于：所述步驟一使用材料包括玻璃、不銹鋼或鋁合金。

3.根據權利要求1所述的新型薄片鍵合方法，其特征在于：所述步驟一中的母片（110）厚度為450μm。

4.根據權利要求1所述的新型薄片鍵合方法，其特征在于：所述步驟三中所述硅片（310）的厚度需減薄至100μm。

5.根據權利要求1所述的新型薄片鍵合方法，其特征在于：濺射工序中，硅片(310)朝向靶材，溫度為室溫或加熱，加熱溫度不超過250℃；光刻包括涂膠、曝光、顯影三個部分，光刻工序中光刻膠厚度不超過5μm，涂膠、顯影工序中進行加熱固膠，加熱溫度不超過150℃；清洗工序中使用的清洗溶液包括硫酸、氫氟酸、雙氧水、鹽酸、氟化銨及其混合溶液；甩干工序中轉速不超過3000轉/分鐘；離子注入工序中能量介于20kev-2Mev；刻蝕工序中氣體包括六氟化硫、氯氣、三氟甲烷、溴化氫及其混合氣體。