[發明專利]一種功率半導體器件縱向超結漂移區結構的制作方法有效
| 申請號： | 201380082039.6 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN106030811B | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;宋文龍;宋洵奕;顧鴻鳴;鄒有彪;張金平;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學;東莞電子科技大學電子信息工程研究院 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 縱向 漂移 結構 制作方法 | ||
【說明書】：
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