[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法、太陽能電池模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380080756.5 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN105706245B | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 田村宣裕;幸畑隼人;浜篤郎 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 肖靖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 模塊 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,具備:
第1導電型的半導體基板,在作為受光面?zhèn)鹊囊幻鎮(zhèn)染哂斜粩U散第2導電型的雜質(zhì)元素的雜質(zhì)擴散層;
多根受光面?zhèn)入姌O,是通過電極材料膏的多層印刷而形成于所述一面?zhèn)炔⑴c所述雜質(zhì)擴散層電連接的多層構(gòu)造的膏電極,并且該多根受光面?zhèn)入姌O在所述半導體基板的面方向的特定方向上平行地延伸而具有線狀形狀;以及
背面?zhèn)入姌O,形成于所述半導體基板的另一面?zhèn)龋?/p>
在所述多根受光面?zhèn)入姌O中,隨著在所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上接近特定的基準位置,各個所述受光面?zhèn)入姌O的寬度變窄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,
所述多根受光面?zhèn)入姌O具有所述多層構(gòu)造中的下層部和形成在所述下層部上面的上層部,
所述多根受光面?zhèn)入姌O中的所述下層部隨著在所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上接近特定的基準位置,寬度分別變窄,
所述多根受光面?zhèn)入姌O中的所述上層部的寬度相同,比形成于各個下部區(qū)域的所述下層部的寬度窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,
所述特定的基準位置是所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上的所述下層部和所述上層部的位置對準精度最高的位置。
4.一種太陽能電池的制造方法,其特征在于,包含:
第1工序,在第1導電型的半導體基板的成為受光面?zhèn)鹊囊幻鎮(zhèn)葦U散第2導電型的雜質(zhì)元素而在所述半導體基板的一面?zhèn)刃纬呻s質(zhì)擴散層;
第2工序,將在所述半導體基板的面方向的特定方向上平行地延伸并與所述雜質(zhì)擴散層電連接的線狀形狀的多根受光面?zhèn)入姌O通過利用絲網(wǎng)印刷進行的電極材料膏的多層印刷來形成于所述半導體基板的一面?zhèn)龋灰约?/p>
第3工序,將與所述半導體基板的另一面?zhèn)入娺B接的背面?zhèn)入姌O形成于所述半導體基板的另一面?zhèn)龋?/p>
在所述第2工序中,
以隨著在所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上接近特定的基準位置而寬度分別變窄的印刷圖案印刷多根所述多層印刷中的下層的電極材料膏,
使用以相同間隔并列地具有比在所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上最接近所述特定的基準位置的所述下層的電極材料膏的印刷圖案的寬度更窄的相同寬度的多個開口圖案的印刷掩模,使在所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上最接近所述特定的基準位置的所述下層的電極材料膏的印刷圖案和與該印刷圖案的位置相對應的所述開口圖案的位置對準,將所述多層印刷中的上層的電極材料膏印刷在所述多根下層的電極材料膏的印刷圖案上面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于,
在所述第2工序中,
在印刷所述下層的電極材料膏時,在所述下層的電極材料膏的印刷圖案中的既定的多個地方印刷位置對準用的第1對位標記部,
在印刷所述上層的電極材料膏時,將在所述上層的電極材料膏的印刷圖案中與所述第1對位標記部的位置相對應的既定的多個地方所設置的位置對準用的第2對位標記部位置與相對應的位置的所述第1對位標記部位置對準來印刷所述上層的電極材料膏,
所述特定的基準位置是基于所述第1對位標記部和所述第2對位標記部的位置對準的、所述下層的電極材料膏的印刷圖案和所述開口圖案的所述受光面?zhèn)入姌O的寬度方向上的位置對準精度最高的位置。
6.一種太陽能電池模塊,其特征在于,
該太陽能電池模塊是將權(quán)利要求1~3中的任一項所述的太陽能電池的2個以上被串聯(lián)或者并聯(lián)電連接而成的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





