[發明專利]鍵合線布置的可調損耗有效
| 申請號: | 201380080740.4 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN105706223B | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發明(設計)人: | 尤里·沃洛霍恩 | 申請(專利權)人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍵合線 布置 可調 損耗 | ||
1.一種鍵合線布置,其特征在于,包括:
信號鍵合線(1),所述信號鍵合線(1)用于將第一裝置(6)可操作地連接到第二電子裝置(7);
控制鍵合線(2),所述控制鍵合線(2)與所述信號鍵合線相隔距離(d)并排布置,以便與所述信號鍵合線磁耦合,并且具有耦合到地的第一端(11)和經由電阻元件(14)耦合到地的第二端(12);其中所述控制鍵合線與所述信號鍵合線具有不同的形狀,選擇所述不同的形狀導致控制鍵合線和信號鍵合線之間的耦合因素,所述耦合因子減少品質因素。
2.根據權利要求1所述的鍵合線布置,其特征在于,所述電阻元件(14)具有0.2Ω到5Ω之間的電阻。
3.根據在前的任一項權利要求所述的鍵合線布置,其特征在于,所述電阻元件(14)包括電阻器。
4.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述電阻元件(14)包括半導體層。
5.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述信號鍵合線(1)與所述控制鍵合線(2)之間的耦合因數(k)在0.1到0.7之間。
6.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述信號鍵合線(1)與所述控制鍵合線(2)之間的距離(d)小于200μm。
7.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述鍵合線布置包括與所述電阻元件(14)串聯布置的電容器(32)。
8.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,另外的控制鍵合線(3)與所述信號鍵合線(1)相隔另外的距離并排布置,以使所述另外的控制鍵合線(3)與所述信號鍵合線磁耦合,所述另外的控制鍵合線(3)布置在與布置所述控制鍵合線(2)的側面相反的一側處。
9.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述鍵合線布置包括信號鍵合線(1)的陣列。
10.根據權利要求1或2所述的鍵合線布置,其特征在于,所述鍵合線布置包括控制鍵合線(2、3)的陣列。
11.一種用于功率放大器電路(900)的RF匹配網絡中的旁路網絡,其特征在于,所述旁路網絡包括根據在前的任一項權利要求所述的鍵合線布置。
12.根據權利要求11所述的旁路網絡,其特征在于,所述旁路網絡包括與去耦電容器(932)串聯布置的旁路電感器(930),所述旁路電感器(930)通過所述鍵合線布置的所述信號鍵合線(1)實施。
13.一種用于功率放大器電路中的RF輸出匹配網絡,其特征在于,所述匹配網絡包括分路電感器(922)和隔直流電容器(924),所述隔直流電容器(924)與所述分路電感器(922)串聯布置,以便使功率放大器電路的輸出引線與地連接,其中所述RF輸出匹配網絡包括根據權利要求11或12所述的旁路網絡。
14.一種功率放大器電路,其特征在于,包括根據權利要求13所述的RF輸出匹配網絡。
15.一種包括根據權利要求1到10中任一項權利要求所述的鍵合線布置的RF集成電路,其特征在于,所述鍵合線布置被布置在所述RF集成電路的驅動級中。
16.一種包括根據權利要求1到10中任一項權利要求所述的鍵合線布置的RF集成電路,其特征在于,所述鍵合線布置被布置在所述RF集成電路的末級中。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





