[發(fā)明專利]光纖預(yù)制件和由初級預(yù)制件制造此類光纖預(yù)制件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380080197.8
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN105636917B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·戈內(nèi)特;埃馬紐埃爾·柏迪特弗萊瑞;L·卡爾沃;O·德爾瓦爾
• 申請（專利權(quán)）人: 德拉克通信科技公司
• 主分類號: C03B37/012
• 分類號: C03B37/012;C03C3/06;C03C13/04;G02B6/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種光纖預(yù)制件(20)，其包括初級預(yù)制件(21)和圍繞所述初級預(yù)制件(21)的至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)，所述至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)包括鋰和鋁，其特征在于，所述至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)具有滿足下述不等式的鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比：

4×10^-3≤[Li]/[Al]≤10×10^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制件，其中所述鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比滿足下述不等式：

4×10^-3≤[Li]/[Al]≤6×10^-3。

3.一種由光纖預(yù)制件(20)制作的光纖，其中所述光纖預(yù)制件包括初級預(yù)制件(21)和圍繞所述初級預(yù)制件(21)的至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)，所述至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)包括鋰和鋁，其特征在于，所述至少一個精制二氧化硅系包覆層(22)具有滿足下述不等式的鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比：

4×10^-3≤[Li]/[Al]≤10×10^-3。

4.一種由初級預(yù)制件(21)制造光纖預(yù)制件(20)的方法，其包括下述步驟：

-通過將天然二氧化硅粉末(11)注射至由等離子體源提供的等離子體(4)使至少一個二氧化硅系包覆層(22)沉積在所述初級預(yù)制件上，

-將精制氣體(15)注射至等離子體(4)以與鋰反應(yīng)，

所述方法的特征在于其還包括調(diào)整至少一種精制氣體注射參數(shù)的步驟以使沉積在所述初級預(yù)制件(21)上的包括鋰和鋁的所述至少一個二氧化硅系包覆層(22)具有滿足下述不等式的鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比：

4×10^-3≤[Li]/[Al]≤10×10^-3。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比滿足下述不等式：

4×10^-3≤[Li]/[Al]≤6×10^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中其還包括控制沉積在所述初級預(yù)制件(21)上的所述至少一個二氧化硅系包覆層(22)中的鋰濃度[Li]和鋁濃度[Al]的控制步驟，其中作為所述控制步驟的結(jié)果的函數(shù)而進(jìn)行所述調(diào)整至少一種精制氣體注射參數(shù)的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中其還包括將作為所述控制步驟結(jié)果的函數(shù)調(diào)整的鋰量注射入等離子體(4)的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中其還包括將作為所述控制步驟結(jié)果的函數(shù)調(diào)整的鋁量注射入等離子體(4)的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中所述至少一種精制氣體注射參數(shù)包括精制氣體流速。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述精制氣體流速設(shè)定為0至5000sccm。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述精制氣體流速設(shè)定為0至800sccm。

12.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中所述精制氣體(15)屬于包括以下的組：SF₆、C₂F₆、Cl₂、CF₄、NF₃、CF₃Cl、C₂Cl₃CF₃。