[發明專利]用于結合基板的裝置及方法有效
| 申請號： | 201380079847.7 | 申請日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN105612602B | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發明（設計）人： | M.溫普林格;V.德拉戈伊;C.弗勒特根 | 申請（專利權）人： | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 楊國治;張昱 |
| 地址： | 奧地利圣*** | 國省代碼： | 奧地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 結合 裝置 方法 | ||
1.用于在工作空間(22)中在第一基板(1)的結合側與第二基板(14)的結合側之間產生直接結合的方法，其中
a) 將所述第一基板(1)的結合側的至少一個在等離子體腔室(4)中進行更改且隨后在結合腔室(5)中與所述第二基板(14)的結合側進行結合，或
b) 將所述第一基板(1)的結合側的至少一個在結合等離子體腔室(20)中進行更改且隨后在所述結合等離子體腔室(20)中與所述第二基板(14)的結合側進行結合，
其中，所述第一基板(1)的結合側的至少一個的更改通過變更所述第一基板(1)的結合側的至少一個上的氧化物層(2)的化學計量實現，并且其中，
將一種或多種下列實施的還原氣體引入到所述等離子體腔室(4)或者所述結合等離子體腔室(20)中用于更改：
氫，
氮氧化物，
一氧化碳，
甲烷，
并且其中，所述還原氣體與下列實施的惰性氣體的一種或多種混合：
氙，
氬，
氦，
氮，
二氧化碳，
其中，在所述結合腔室(5)或者所述結合等離子體腔室(20)中，第一基板(1)的結合側與第二基板(14)的結合側發生結合，以及
其中，所述第一基板(1)的結合側和所述第二基板(14)的結合側在第一基板(1)與第二基板(14)進行接觸之后借助于按壓來變形，以閉合在所述第一基板(1)的結合側和所述第二基板(14)的結合側之間的毫微間隙。
2.根據權利要求1所述的方法，其中該更改通過以下方式實現：
a) 變更所述第一基板(1)的結合側的至少一個上的氧化物層(2)，
b) 從所述第一基板(1)的結合側的至少一個至少部分移除氧化物層(2)的部分。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，結合層被加載有小于1000 eV的離子能量，其施加在所述結合等離子體腔室(20)或所述等離子體腔室(4)的上部電極(10)與下部電極(9)之間。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，將具有大于施加在所述下部電極處的交流電壓的頻率的頻率的交流電壓加載在所述上部電極(10)處。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
