[發(fā)明專利]能夠使用光學(xué)的和電容的方法感測指紋的指紋識別傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380079637.8 | 申請日: | 2013-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN105556538B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金基中;許智鎬;洪奉燁 | 申請(專利權(quán))人: | 硅顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G06K9/00 | 分類號: | G06K9/00;G06K9/20;G01R27/26 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;許向彤 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 能夠 使用 光學(xué) 電容 方法 指紋 指紋識別 傳感器 | ||
1.一種指紋識別傳感器,所述傳感器能夠使用光學(xué)的和電容的方法感測指紋,所述傳感器包括:
電容式指紋感測單元,其包括晶體管T2,在所述晶體管T2中的流動(dòng)電流根據(jù)能夠感測人類指紋的指紋感測電極的輸出電壓而變化;以及
光學(xué)指紋感測單元,由于存在或不存在指紋造成的光和影所產(chǎn)生的光電二極管的反向電流的差異,所述光學(xué)指紋感測單元改變所述晶體管T2中的流動(dòng)電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別傳感器,其中,所述電容式指紋感測單元包括:
指紋感測電極,所述指紋感測電極檢測所述人類手指;
第一晶體管T1,被配置成使得在柵電極上施加?xùn)艠O信號電壓,并且源電極連接至數(shù)據(jù)線;以及
二極管晶體管,被配置成使得柵電極和漏電極連接至所述指紋感測電極,并且在源電極上施加輸出信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的指紋識別傳感器,其中,所述晶體管T2被配置成使得柵電極連接至所述指紋感測電極,以及所述二極管晶體管的柵電極和漏電極,源電極連接至所述第一晶體管T1的漏電極,并且漏電極連接至像素中的電源電壓或偏壓線,并且
其中,所述二極管晶體管被配置成包括二極管和耦合電容器C1,所述耦合電容器C1連接至所述二極管的陽極和陰極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的指紋識別傳感器,其中,所述光學(xué)指紋感測單元包括:
光電二極管,被配置成使得陽極連接至像素中的電源電壓或偏壓線;
第五晶體管T5,被配置成使得在柵電極上施加所述光電二極管的控制信號,源電極連接至所述晶體管的柵電極,并且漏電極連接至所述光電二極管的陰極;以及
光電二極管電容器C2,連接至所述光電二極管的陽極和陰極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識別傳感器,其中所述電容式指紋感測單元包括:
指紋感測電極,所述指紋感測電極檢測所述人類指紋;
第一晶體管T1,被配置成使得在柵電極上施加?xùn)艠O信號電壓,并且源電極連接至數(shù)據(jù)線;以及
二極管晶體管,被配置成使得柵電極和漏電極連接至所述指紋感測電極,并且在源電極上施加輸入信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的指紋識別傳感器,其中所述晶體管T2被配置成使得柵電極連接至所述指紋感測電極,以及所述二極管晶體管的柵電極和漏電極,并且漏電極連接至像素中的電源電壓,
其中,所述二極管晶體管被配置成包括二極管和耦合電容器C1,所述耦合電容器C1連接至所述二極管的陽極和陰極,并且
其中,所述電容式指紋感測單元進(jìn)一步包括:第三晶體管T3,被配置成使得柵電極連接至所述第二晶體管T2的源電極,源電極連接至所述第一晶體管T1的漏電極,并且漏電極連接至所述像素中的電源電壓;以及第四晶體管T4,被配置成使得在柵電極上施加?xùn)艠O信號電壓,在源電極上施加輸入信號,并且漏電極連接至第二晶體管T2的源電極和第三晶體管T3的柵電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的指紋識別傳感器,其中,所述光學(xué)指紋感測單元包括:
光電二極管,被配置成使得陽極連接至像素中的電源電壓或偏壓線;
第五晶體管T5,被配置成使得在柵電極上施加所述光電二極管的控制信號,源電極連接至所述第三晶體管T3的柵電極,并且漏電極連接至所述光電二極管的陰極;以及
光電二極管電容器C2,連接至所述光電二極管的陽極和陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的指紋識別傳感器,其中,所述第一晶體管T1、所述晶體管T2、所述二極管晶體管和所述第五晶體管T5的每個(gè)的有源層由非晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體中的至少一種制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的指紋識別傳感器,其中,所述第一晶體管T1、所述晶體管T2、所述二極管晶體管和所述第五晶體管T5的每個(gè)的有源層由非晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體中的至少一種制成。
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