[發明專利]用于納米線晶體管的內部間隔體及其制造方法

有效

• 申請號: 201380079334.6
• 申請日: 2013-10-03
• 公開（公告）號: CN105518840B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: S·金;D·西蒙;N·拉哈爾烏拉比;C-H·林;K·庫恩
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

可以采用內部間隔體，來生產本說明書的納米線晶體管，在內部間隔體制造期間，通過使用犧牲間隔體來形成內部間隔體。一旦形成了納米線晶體管，就可以去除(分別)位于晶體管柵極以及源極和漏極之間的犧牲間隔體。然后，可以去除納米線晶體管的溝道納米線之間的犧牲材料，并且可以沉積電介質材料以填充溝道納米線之間的空間。可以去除不在溝道納米線之間的電介質材料以形成內部間隔體。然后可以與內部間隔體和晶體管溝道納米線相鄰，形成(分別)位于晶體管柵極與源極和漏極之間的外部間隔體。

技術領域

本說明書的實施例總體涉及納米線微電子器件的領域，并且更具體而言，涉及使用內部間隔體所形成的納米線晶體管。

背景技術

集成電路部件的更高性能、更低成本、加強的微型化，以及集成電路的更大封裝密度是制造微電子器件的微電子行業的一直的目標。在實現這些目標時，微電子器件減小，即，變得更小，這增加了對每種集成電路部件的最優性能的需求，包括在減小短溝道效應、寄生電容和截止狀態泄漏電流的同時管理晶體管驅動電流。

非平面晶體管，例如基于鰭和納米線的器件，使得能夠改善對短溝道效應的控制。例如，在基于納米線的晶體管中，柵極電極包裹在納米線的整個周邊周圍，使能溝道區中的更完全耗盡，并減小由于更陡峭的亞閾值電流擺幅(SS)和更小的漏極感應勢壘降低(DIBL)導致的短溝道效應。納米線器件中使用的周圍包裹的柵極結構和源極/漏極接觸還使得能夠更好地管理有源區中的泄漏電流和電容，即使在驅動電流增大時也是如此，如本領域的技術人員將要理解的那樣。

附圖說明

在說明書的結論部分中具體指出并明確主張了本公開內容的主題。根據結合附圖的以下描述及附屬權利要求，本公開內容的上述和其它特征將變得更加完全地顯而易見。要理解的是，附圖僅僅示出了根據本公開內容的幾個實施例，并且因此，不應被視為限制其范圍。將利用附圖以額外的特異性和細節來描述本公開內容，從而可以更容易確定本公開內容的優點，其中：

圖1-17是根據本說明書的實施例的形成納米線晶體管的過程的斜視圖及側視圖。

圖18是根據本說明書的實施例的制造納米線晶體管的過程的流程圖。

圖19圖示了根據本說明書的一種實施方式的計算設備。

具體實施方式

在以下具體實施方式中，參考了附圖，附圖通過圖示方式示出了可以實踐所主張的主題的具體實施例。這些實施例得到充分詳細的描述，以使本領域的技術人員能夠實踐該主題。應當理解，各實施例盡管不同，但未必是相互排斥的。例如，可以在其它實施例中實施結合一個實施例在本文中描述的特定特征、結構或特性而不脫離所主張主題的精神和范圍。在本說明書之內提到“一個實施例”或“實施例”表示結合實施例描述的特定特征、結構或特性被包括在本說明書之內所涵蓋的至少一個實施方式中。因此，短語“一個實施例”或“在實施例中”的使用，未必是指相同實施例。此外，要理解的是，可以修改每個公開實施例之內獨立的元件的位置或布置而不脫離所主張主題的精神和范圍。因此，不應以限制性意義來理解以下具體實施方式，并且所主張主題的范圍僅受經適當解釋的附屬權利要求連同附屬權利要求所授權的等價物的全范圍的限定。在附圖中，相同的標號在所有幾幅視圖中指相同或相似的元件或功能，并且其中繪示的元件未必與彼此成比例，相反，可以放大或縮小獨立的元件，以便在本說明書的語境中更容易理解該元件。

如本說明書中所使用的術語“犧牲”是指暫時形成并將被去除并由另一種結構或材料替代的結構或材料。如本文中使用的術語“在……上方”、“到”、“在……之間”和“在……上”可以指一層相對于其它層的相對位置。在另一層“上方”或“上”或結合“到”另一層的一層可以直接接觸另一層，或者可以有一個或多個居間層。層“之間”的一層可以直接與這些層接觸，或者可以具有一個或多個居間層。