[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380079314.9
• 申請(qǐng)日: 2013-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105518799B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口幸一郎;御明誠(chéng);志賀仁;柴田升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C29/00
• 分類號(hào): G11C29/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉靜;段承恩

半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有：存儲(chǔ)器單元陣列，其具有與存儲(chǔ)器單元的至少一部分的多個(gè)存儲(chǔ)器單元連接的多條字線和包含存儲(chǔ)器單元的至少一部分的多個(gè)存儲(chǔ)器單元的一組在內(nèi)的多個(gè)塊；不良信息存儲(chǔ)塊，其包含與多條字線中的特定的2條以上的字線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元，將存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的不良信息存儲(chǔ)到這些存儲(chǔ)器單元；第1不良檢測(cè)部，其讀取不良信息存儲(chǔ)塊內(nèi)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)，進(jìn)行不良信息存儲(chǔ)塊的不良判定；第2不良檢測(cè)部，其在判定為不良時(shí)，變更存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)的讀取電壓電平，再次讀取不良信息存儲(chǔ)塊內(nèi)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)，進(jìn)行不良信息存儲(chǔ)塊的不良判定；以及不良確定部，其在判定為不良時(shí)，將不良信息存儲(chǔ)塊確定為不良。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及能夠存儲(chǔ)不良信息的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

有時(shí)在存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)設(shè)置有熔絲只讀存儲(chǔ)器塊，該熔絲只讀存儲(chǔ)器塊以塊為單位或以列為單位來(lái)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器單元的不良信息。

熔絲只讀存儲(chǔ)器塊為與通常的塊相同的大小，具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。在熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的存儲(chǔ)器單元產(chǎn)生超過(guò)允許限度的不良的情況下，熔絲只讀存儲(chǔ)器塊中保存的熔絲只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)自身也有可能會(huì)變得不良。進(jìn)而，在熔絲只讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)產(chǎn)生不良的情況下，為了糾錯(cuò)而耗費(fèi)時(shí)間，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的工作速度有可能下降。尤其是，隨著存儲(chǔ)器單元細(xì)微化，存儲(chǔ)器單元容易變得不良，因此，熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良檢查變得重要。

熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良檢查，通常在接通電源時(shí)的上電讀出期間中進(jìn)行。

但是，隨著存儲(chǔ)器單元細(xì)微化，擦除電平變得容易變動(dòng)，擦除電平與讀取電平之差變小，產(chǎn)生誤讀的可能性變高。

另外，當(dāng)存儲(chǔ)器單元的細(xì)微化發(fā)展、存儲(chǔ)器容量增大時(shí)，塊數(shù)量也增加，所以應(yīng)該記錄到熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良信息也增加，因此有可能從熔絲只讀存儲(chǔ)器塊讀取不良信息，反而耗費(fèi)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本實(shí)施方式，提供半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具有：存儲(chǔ)器單元陣列，其具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元、與所述存儲(chǔ)器單元的至少一部分的多個(gè)所述存儲(chǔ)器單元連接的多條字線、與所述存儲(chǔ)器單元的至少一部分的多個(gè)所述存儲(chǔ)器單元連接的多條位線以及包含所述存儲(chǔ)器單元的至少一部分的多個(gè)所述存儲(chǔ)器單元的一組在內(nèi)的多個(gè)塊；

不良信息存儲(chǔ)塊，其是所述多個(gè)塊的至少一個(gè)，存儲(chǔ)所述存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的不良信息；

第1不良檢測(cè)部，其讀取所述不良信息存儲(chǔ)塊內(nèi)的至少一部分的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)，通過(guò)檢驗(yàn)該數(shù)據(jù)來(lái)判定所述不良信息存儲(chǔ)塊是否存在不良；

第2不良檢測(cè)部，其在由所述第1不良檢測(cè)部判定為存在不良時(shí)，變更所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)的讀取電壓電平，再次讀取所述不良信息存儲(chǔ)塊內(nèi)的至少一部分的所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)，通過(guò)檢驗(yàn)該數(shù)據(jù)來(lái)判定所述不良信息存儲(chǔ)塊是否存在不良；以及

不良確定部，其在由所述第2不良檢測(cè)部判定為存在不良時(shí)，將所述不良信息存儲(chǔ)塊確定為不良。

附圖說(shuō)明

圖1是示出第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置1的概略結(jié)構(gòu)的框圖。

圖2是示出單元陣列2周圍的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的框圖。

圖3是示出第1實(shí)施方式的熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良檢查處理的流程圖。

圖4是示出第2實(shí)施方式的熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良檢查處理的流程圖。

圖5是在刷新時(shí)再次寫入不良信息的情況下的時(shí)間圖。

圖6是示出第3實(shí)施方式的熔絲只讀存儲(chǔ)器塊的不良檢查處理的流程圖。

圖7是示出圖6的步驟S31～S38的處理定時(shí)的時(shí)間圖。

圖8是示出包含熔絲只讀存儲(chǔ)器塊31的存儲(chǔ)器單元陣列2的存儲(chǔ)器映射的圖。