[發明專利]反應性濺射裝置

有效

• 申請號: 201380079134.0
• 申請日: 2013-10-03
• 公開（公告）號: CN105518179B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 武井応樹;磯部辰德;清田淳也;大野哲宏;佐藤重光
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙) 31239
• 代理人: 胡艷

1.一種反應性濺射裝置，具備陰極裝置，所述陰極裝置朝向應形成于成膜對象物的化合物膜的形成區域放射濺射粒子，

與所述形成區域相對的空間是相對區域，

所述陰極裝置具備：

掃描部，其在所述相對區域掃描燒蝕區域；以及

靶，其形成有所述燒蝕區域，該靶在掃描方向上的長度短于所述相對區域，

所述掃描部從開始位置朝向所述相對區域掃描所述燒蝕區域，在所述開始位置上，所述形成區域在所述掃描方向上的2個端部中的所述濺射粒子先到達的第1端部與所述靶的第1端部的距離在所述掃描方向上為150mm以上，所述靶的第1端部為在所述掃描方向上離所述形成區域的所述第1端部最近的所述靶表面的1點，

所述燒蝕區域是形成于所述靶的2個燒蝕區域中的1個，

所述2個燒蝕區域包含第1燒蝕區域和第2燒蝕區域，所述第1燒蝕區域在所述開始位置上離所述形成區域的所述第1端部近，第2燒蝕區域在所述開始位置上離所述形成區域的所述第1端部遠，

所述陰極裝置具備：

第1遮蔽部，所述第1遮蔽部在所述開始位置上配置于所述掃描方向上的所述靶的所述第1端部與所述形成區域的所述第1端部之間；

第2遮蔽部，所述第2遮蔽部在所述開始位置上配置于所述掃描方向上的比第2端部離所述形成區域遠的位置，所述第2端部是在所述掃描方向上離所述形成區域遠的所述靶的端部；

磁路，其相對于所述靶配置于與所述形成區域相反的一側，在所述靶上形成有所述燒蝕區域；以及

磁路掃描部，其在所述掃描方向上在所述靶的所述第1端部與所述第2端部之間掃描所述磁路，

所述第1遮蔽部使從所述第1燒蝕區域向所述靶朝向的方向放射的所述濺射粒子中的向所述形成區域的入射角度為30°以下的濺射粒子不到達所述形成區域，

所述磁路與所述第1遮蔽部之間的距離根據所述磁路的掃描而改變，

所述第2遮蔽部使從所述第2燒蝕區域朝向與所述靶朝向的方向相反的一側放射的濺射粒子中的向所述形成區域的入射角度為30°以下的濺射粒子不到達所述形成區域，

所述靶是沿著所述掃描方向排列的2個靶中的1個，

所述2個靶包含第1靶和第2靶，所述第1靶在所述開始位置上離所述形成區域近，所述第2靶在所述開始位置上比所述第1靶離所述形成區域遠，

所述第2遮蔽部使從所述第1靶的所述第1燒蝕區域向與所述靶朝向的方向相反的方向放射的所述濺射粒子中的向所述形成區域的入射角度為9°以下的濺射粒子不到達所述形成區域，

所述陰極裝置具備第3遮蔽部，所述第3遮蔽部在所述掃描方向上配置于所述2個靶之間。

2.根據權利要求1所述的反應性濺射裝置，

所述磁路掃描部在所述開始位置上配置于使所述磁路與所述第1靶的所述第1端部在所述掃描方向上重疊的位置。

3.根據權利要求2所述的反應性濺射裝置，

所述掃描部在使所述第1靶在所述相對區域通過1次時，

所述磁路掃描部從所述第1靶的所述第1端部朝向所述第2端部掃描1次所述磁路。

4.根據權利要求1所述的反應性濺射裝置，

所述陰極裝置是2個陰極裝置中的1個，

在所述2個陰極裝置中，各陰極裝置具有的所述靶的形成材料中的主要成分相互不同，

在掃描部掃描所述2個陰極裝置中的一方陰極裝置時，掃描部不掃描另一方陰極裝置。