[發(fā)明專利]用于剝離掩模層的犧牲材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380079021.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN105474369B
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·孫達(dá)拉拉詹;N·拉哈爾-烏拉比;L·古勒爾;M·哈珀;R·T·特勒格爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L21/312
• 分類號(hào): H01L21/312;H01L21/027
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種制造集成器件的方法，所述方法包括：

接納具有圖案化的掩模的襯底，其中，所述掩模包括多個(gè)掩模材料層，所述多個(gè)掩模材料層包括設(shè)置于所述襯底之上并且第二掩模材料層之下的第一掩模材料層，其中所述第二掩模材料層與所述第一掩模材料層具有不同的成分；

在一個(gè)或多個(gè)層的至少一部分中蝕刻圖案；

利用犧牲材料回填所蝕刻的圖案，其中，所述犧牲材料與所述第一掩模材料層具有相同的成分；

在所述犧牲材料存在的情況下去除所述掩模的至少頂部部分；以及

相對(duì)于經(jīng)圖案化的一個(gè)或多個(gè)層選擇性地去除所述犧牲材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在一個(gè)或多個(gè)層中蝕刻所述圖案還包括：蝕刻設(shè)置于所述圖案化的掩模下方的所述襯底的層；

回填所蝕刻的圖案還包括：

利用完全覆蓋所蝕刻的襯底層的所述犧牲材料來填充所述掩模中的所述圖案；以及

在所述掩模的頂表面上方使所述犧牲材料平面化；

去除所述掩模的所述頂部部分還包括：

蝕刻透過設(shè)置于所述掩模的所述頂表面上方的所述犧牲材料的整個(gè)厚度；以及

蝕刻透過所述掩模的僅部分厚度；并且

去除所述犧牲材料的剩余部分還去除了剩余的掩模材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在一個(gè)或多個(gè)層中蝕刻所述圖案還包括：蝕刻設(shè)置于所述掩模下方的所述襯底的層；

回填所蝕刻的圖案還包括：利用完全覆蓋所蝕刻的襯底層的所述犧牲材料來填充所述掩模中的所述圖案；

去除所述掩模的所述頂部部分還包括：至少蝕刻透過所述第二掩模材料層；并且

去除所述犧牲材料的剩余部分還去除了所述第一掩模材料層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在一個(gè)或多個(gè)層中蝕刻所述圖案還包括：蝕刻設(shè)置于所述掩模下方的所述襯底的層；

回填所蝕刻的圖案還包括：利用完全覆蓋所蝕刻的襯底層的所述犧牲材料來填充所述掩模中的所述圖案；

去除所述掩模的所述頂部部分還包括：至少蝕刻透過所述第二掩模材料層；并且

去除所述犧牲材料的剩余部分還去除了所述第一掩模材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在一個(gè)或多個(gè)層中蝕刻所述圖案還包括：蝕刻設(shè)置于所述掩模下方的所述襯底的層，其中，所蝕刻的襯底層與所述第二掩模材料層具有相同的成分；

回填所蝕刻的圖案還包括：利用完全覆蓋所蝕刻的襯底層的所述犧牲材料來填充所述掩模中的所述圖案；

去除所述掩模的所述頂部部分還包括：至少蝕刻透過所述第二掩模材料層；并且

去除所述犧牲材料的剩余部分還去除了所述第一掩模材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述掩模包括多個(gè)掩模材料層，所述多個(gè)掩模材料層包括設(shè)置于一個(gè)或多個(gè)不可光界定的硬掩模材料層上方的一個(gè)或多個(gè)可光界定的掩模材料層；

在一個(gè)或多個(gè)層中蝕刻所述圖案還包括：

蝕刻透過所述一個(gè)或多個(gè)硬掩模材料層；以及

蝕刻設(shè)置于所述圖案化的掩模下方的所述襯底的層；

回填所蝕刻的圖案還包括：利用所述犧牲材料來填充所述掩模中的所述圖案以完全覆蓋所蝕刻的襯底層；并且

去除所述掩模的所述頂部部分還包括：蝕刻透過所述硬掩模材料層中的至少一層。