[發明專利]二次電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201380078839.0 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN105453329B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 佐藤哲也 | 申請(專利權)人: | NEC能源元器件株式會社 |
| 主分類號: | H01M10/0585 | 分類號: | H01M10/0585;H01M4/02;H01M4/04;H01M4/13;H01M4/139;H01M10/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 閆曄 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二次電池 集電器 正電極 活性材料 電池電極組件 負電極 平坦 薄層 隔板 恒定 高可靠性 交替堆疊 絕緣材料 短路 形變 高電 減小 制造 應用 | ||
1.一種二次電池,包括電池電極組件,所述電池電極組件包括借助隔板交替堆疊的正電極和負電極,其中:
所述正電極和所述負電極均包括集電器和涂覆到所述集電器的活性材料;
位于所述正電極的所述集電器的一個表面上的活性材料實質上由大厚度部分和位于關于所述大厚度部分的端部側的小厚度部分組成,所述小厚度部分的厚度小于所述大厚度部分的厚度;
位于所述正電極的所述集電器的另一表面上的所述活性材料的一部分實質上由平坦部分組成,所述一部分隔著所述集電器與位于所述一個表面上的所述活性材料的所述小厚度部分面對;以及
其中絕緣材料設置成使得:所述絕緣材料覆蓋所述正電極中已經涂覆了所述活性材料的涂覆部分和沒有涂覆所述活性材料的未涂覆部分之間的邊界部分;以及所述絕緣材料的一個端部位于所述活性材料的所述小厚度部分上,所述活性材料位于所述正電極的所述集電器的所述一個表面上;
其中位于所述正電極的所述集電器的所述另一表面上的所述活性材料僅包括所述平坦部分。
2.根據權利要求1所述的二次電池,其中位于所述正電極的所述集電器的所述一個表面上的所述活性材料的所述大厚度部分和所述小厚度部分之間的厚度差等于或大于所述絕緣材料的厚度。
3.根據權利要求2所述的二次電池,其中所述絕緣材料設置在所述正電極的所述集電器的相對表面中的每一個表面上,以及位于所述正電極的所述集電器的所述一個表面上的所述活性材料的所述大厚度部分和所述小厚度部分之間的所述厚度差不小于所述絕緣材料的厚度的兩倍。
4.根據權利要求1所述的二次電池,其中所述絕緣材料的厚度、所述正電極的所述集電器的所述一個表面上的所述活性材料的布置有所述絕緣材料的一部分的厚度、以及所述負電極的所述活性材料的隔著所述隔板與所述絕緣材料面對的一部分的厚度的總和等于或小于所述正電極的所述活性材料的所述大厚度部分的所述厚度和所述負電極的所述活性材料的隔著所述隔板與所述正電極的所述活性材料的所述大厚度部分面對的部分的厚度的總和。
5.根據權利要求1所述的二次電池,其中位于所述正電極的所述集電器的所述一個表面上的所述活性材料的所述小厚度部分包括以下各項中的至少一個:薄層部分、厚度連續減小的傾斜部分和厚度間歇減小的階梯部分。
6.根據權利要求1所述的二次電池,其中:
位于所述負電極的所述集電器的一個表面上的活性材料實質上由大厚度部分和小厚度部分組成,所述小厚度部分的厚度小于所述大厚度部分的厚度;以及
位于所述負電極的所述集電器的另一表面上的所述活性材料的一部分實質上由平坦部分組成,所述部分隔著所述集電器與位于所述一個表面上的所述活性材料的所述小厚度部分面對。
7.根據權利要求6所述的二次電池,其中位于所述負電極的所述集電器的所述一個表面上的所述活性材料的所述小厚度部分隔著所述隔板與位于所述正電極的所述活性材料上的絕緣材料面對。
8.一種二次電池制造方法,包括以下步驟:通過向正電極集電器的相對表面中的每一個表面涂覆正電極活性材料來形成正電極;通過向負電極集電器的相對表面中的每一個表面涂覆負電極活性材料來形成負電極;以及借助隔板交替堆疊所述正電極和所述負電極,
其中形成正電極的所述步驟包括:向所述正電極集電器的表面涂覆正電極活性材料層,以形成實質上只由平坦部分組成的正電極活性材料層,以及然后向與形成有實質上只由所述平坦部分組成的所述正電極的活性材料的所述表面相反的一側的表面涂覆正電極活性材料層,以形成實質上由大厚度部分和厚度小于所述大厚度部分的厚度的小厚度部分組成的正電極活性材料層;
其中位于所述正電極的所述集電器的所述表面上的所述活性材料僅包括所述平坦部分。
9.根據權利要求8所述的二次電池制造方法,還包括以下步驟:將絕緣材料布置為覆蓋所述正電極中已經涂覆了所述正電極活性材料的涂覆部分和沒有涂覆所述正電極活性材料的未涂覆部分之間的邊界部分。
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