[發明專利]用于反應器的耐腐蝕表面

有效

• 申請號: 201380078553.2
• 申請日: 2013-08-01
• 公開（公告）號: CN105408017B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 清家綾
• 申請（專利權）人: 英派爾科技開發有限公司
• 主分類號: B01J19/02
• 分類號: B01J19/02
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 孟銳

1.一種反應器，其包括：

反應室；

金屬表面，其至少部分圍繞所述反應室；和

耐腐蝕陶瓷層，其設置在所述金屬表面的至少一部分和所述反應室之間，其中所述耐腐蝕陶瓷層是帶負電的，

其中所述反應室通過下述方法制造，所述方法包括：

提供液體混合物，其具有至少部分設置在所述液體混合物中的一個或多個電極，其中所述液體混合物包括分散在溶劑中的陶瓷粉末；

將金屬表面至少部分設置在所述液體混合物中；

在所述電極和所述金屬表面之間施加電壓，以在所述金屬表面上形成耐腐蝕陶瓷層；和

使用至少所述金屬表面形成反應室。

2.權利要求1所述的反應器，其中所述反應器配置為用于有機材料的超臨界氣化。

3.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層包括鋁硅酸鹽材料。

4.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層包括沸石或蒙脫土中的至少一種。

5.權利要求1所述的反應器，其中在面向所述反應室的所述耐腐蝕陶瓷層的表面的負電荷大于在面向所述金屬表面的所述耐腐蝕陶瓷層的表面的負電荷。

6.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層具有分段負電勢，其沿著所述耐腐蝕陶瓷層的厚度從面向所述金屬表面的所述耐腐蝕陶瓷層的表面至面向所述反應室的所述耐腐蝕陶瓷層的表面增加。

7.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層是無孔的。

8.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層是多孔的。

9.權利要求1所述的反應器，其中所述反應器配置為經受的溫度大于或等于水的超臨界溫度，和所述反應器配置為經受的壓強大于或等于水的超臨界壓強。

10.權利要求1所述的反應器，其中所述金屬表面包括下述中的至少一種：不銹鋼、鎳的超合金或鉻的超合金。

11.權利要求1所述的反應器，進一步包括設置在所述反應室中的水，和設置在所述反應室中的有機材料。

12.權利要求11所述的反應器，其中所述有機材料是煤。

13.權利要求1所述的反應器，其中所述耐腐蝕陶瓷層的厚度是1μm至10,000μm。

14.權利要求1所述的反應器，進一步包括至少一個加熱元件，其熱連接至所述反應室并且配置為將水加熱至水的超臨界溫度以上。

15.權利要求1所述的反應器，進一步包括與所述反應室流體連通的至少一個入口端，其中所述入口端配置為向所述反應室提供水或有機材料中的至少一種。

16.權利要求1所述的反應器，進一步包括與所述反應室流體連通的至少一個出口端，其中所述出口端配置為從所述反應室接收氣體。