[發(fā)明專利]MoS2薄膜及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380078541.X
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN105408516B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閔耀燮
• 申請（專利權(quán)）人: 建國大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;C23C16/06
• 代理公司: 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 王慶艷;劉繼富

1.一種用于制造MoS2薄膜的方法，其包括：

1)通過將鉬前驅(qū)體供應(yīng)到處于真空狀態(tài)下的反應(yīng)器中來在襯底上形成包含Mo的化學(xué)官能團層；

2)在步驟1)之后通過將惰性氣體供應(yīng)到所述反應(yīng)器中來去除沒有形成包含Mo的化學(xué)官能團層的過量鉬前驅(qū)體和副產(chǎn)物；

3)通過將硫前驅(qū)體供應(yīng)到所述反應(yīng)器中使硫前驅(qū)體化學(xué)吸附到所述包含Mo的化學(xué)官能團層來形成MoS2原子層；和

4)在步驟3)之后通過將惰性氣體供應(yīng)到所述反應(yīng)器中來去除在步驟3)中沒有被吸附的硫前驅(qū)體和副產(chǎn)物，

其中，所述鉬前驅(qū)體是Mo(CO)6，所述硫前驅(qū)體是二甲基二硫醚，其中，步驟3)中原子層沉積的ALD溫度窗口為100至120℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，在步驟1)中，以0.1至10托的壓力來供應(yīng)所述鉬前驅(qū)體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，在步驟3)中，以0.1至10托的壓力來供應(yīng)所述硫前驅(qū)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，在重復(fù)步驟1)至4)時所述MoS2薄膜的厚度增加，并且所述MoS2薄膜的厚度由步驟1)至4)的重復(fù)次數(shù)確定。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其還包括在重復(fù)步驟1)至4)之后的熱處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，在400至1000℃下進行所述熱處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，通過所述方法制造的MoS2薄膜的拉曼光譜具有在375至385cm-1和400至410cm-1處觀察到的峰。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的用于制造MoS2薄膜的方法，其中，通過所述方法制造的MoS2薄膜被包含在選自晶體管的半導(dǎo)體活性層、用于析氫反應(yīng)的催化劑和鋰離子電池的電極中的任一種中。