[發明專利]包括開關特征的裝置有效
| 申請號: | 201380077993.6 | 申請日: | 2013-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN105474130B | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發明(設計)人: | 崔振;陳志剛 | 申請(專利權)人: | 諾基亞技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/00 | 分類號: | G06F3/00;G06F1/16;H01R31/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 酆迅;張曦 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 開關 特征 裝置 | ||
1.一種裝置,包括:
第一電路模塊;
第二電路模塊;
電接觸部,用于從外圍設備接收電信號,所述電接觸部耦合到所述第一電路模塊和所述第二電路模塊;以及
開關特征,被配置為取決于從所述外圍設備傳輸并且通過所述電接觸部接收的電信號的電壓振幅,而限制所述電信號免于被傳送至耦合到所述電接觸部的第一電路模塊和第二電路模塊中的一個電路模塊,并且向所述第一電路模塊和所述第二電路模塊中的另一電路模塊傳輸所述電信號,
其中所述開關特征包括連接到所述電接觸部的第一通道和第二通道,所述裝置被配置為使得在使用時,當通過所述電接觸部接收到所述電信號時,當所述電信號的所述電壓振幅超過門限電壓時,促使這樣的通道的導電性相對于彼此而改變,其中所述通道中的一個通道包括觸發單元,所述觸發單元被配置為在所述電信號的所述電壓振幅超過所述門限電壓時,促使所述通道的所述導電性相對于所述另一通道減小。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中包括所述觸發單元的所述通道包括絕緣柵場效應晶體管。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中所述觸發單元耦合到所述絕緣柵場效應晶體管的柵極。
4.根據權利要求3所述的裝置,其中在所述電信號的所述電壓幅度超過所述門限電壓時,所述電信號的所述電壓幅度的至少一部分被應用至所述場效應晶體管的柵極。
5.根據權利要求2所述的裝置,其中所述裝置被配置為使得所述第一電路模塊和所述第二電路模塊中的一個電路模塊能夠耦合至所述絕緣柵場效應晶體管的漏極。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中所述觸發單元是二極管。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中所述門限電壓是所述二極管的擊穿電壓。
8.根據權利要求1所述的裝置,其中所述電接觸部包括用于分別與所述外圍設備的對應電接觸部接合的多個電接觸部中的一個電接觸部。
9.根據權利要求8所述的裝置,其中所述裝置的所述電接觸部包括四腳插座的一部分或四導體插頭的一部分。
10.根據權利要求8所述的裝置,其中所述裝置的所述電接觸部或者所述外圍設備的所述電接觸部包括被配置為接納四導體3.5mm插頭的布置的一部分。
11.根據權利要求1所述的裝置,其中所述裝置是便攜式電子設備。
12.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一電路模塊和所述第二電路模塊中的一個電路模塊包括USB電路模塊。
13.根據權利要求1所述的裝置,其中所述第一電路模塊和所述第二電路模塊中的一個電路模塊包括音頻電路模塊。
14.一種方法,包括:
取決于從外圍設備傳輸并且通過電接觸部接收的電信號的電壓振幅,限制所述電信號免于被傳送至耦合到所述電接觸部的第一電路模塊和第二電路模塊中的一個電路模塊,其中當所述電信號的所述電壓振幅超過門限電壓時,由觸發單元使得開關特征的第一通道和第二通道的導電性相對于彼此而改變,所述第一通道和所述第二通道連接到所述電接觸部并且其中之一包括所述觸發單元,其中當所述電信號的所述電壓振幅超過所述門限電壓時,所述觸發單元引起包括所述觸發單元的所述通道的所述導電性減小。
15.根據權利要求14所述的方法,其中另一個通道包括絕緣柵場效應晶體管。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述觸發單元耦合到所述絕緣柵場效應晶體管的柵極。
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