[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201380077836.5
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN105453276B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 黃建富;呂志強;林俊宇;邱新智
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L27/15;H01L33/36
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件的制造方法，包括：

提供一第一基板；

提供一半導體疊層于該第一基板上，其中該半導體疊層包括一第一電性半導體層、一發光層位于該第一電性半導體層之上、以及一第二電性半導體層位于該發光層之上，且該半導體疊層經圖形化而形成彼此分隔的多個半導體疊層塊，其中該多個半導體疊層塊包括一第一半導體疊層塊、一第二半導體疊層塊及一第三半導體疊層塊；

提供一永久基板，包含一第一表面及一第二表面；

實行一分離步驟將該第一半導體疊層塊及該第三半導體疊層塊與該第一基板分離，且該第一基板保留有該第二半導體疊層塊；

實行一第一接合步驟使該第三半導體疊層塊位于該永久基板的該第一表面上；以及

實施一第二接合步驟接合該第一半導體疊層塊或該第二半導體疊層塊于該第二表面上；

其中，被接合至該永久基板的該第一半導體疊層塊或該第二半導體疊層塊與該第三半導體疊層塊具有一光學特征值的差異或一電性特征值的差異。

2.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中被接合至該永久基板的該第一半導體疊層塊或該第二半導體疊層塊與該第三半導體疊層塊的主波長差異大于或等于1nm，或者正向電壓(forward voltage)差異大于或等于2％，或者發光強度差異大于或等于3％。

3.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中該分離步驟包括：

形成一第一犧牲層于在該第一半導體疊層塊上；

提供一暫時基板；

接合該暫時基板與該第一犧牲層；以及

自該第一基板分離該第一半導體疊層塊。

4.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中該第二接合步驟包括:

對位接合該第一基板與該永久基板，以使該第二半導體疊層塊接合于該第二表面上；以及

自該第一基板分離該第二半導體疊層塊。

5.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中該第二接合步驟包括:

提供一暫時基板；

接合該第二半導體疊層塊于該暫時基板；

自該第一基板分離該第二半導體疊層塊；

對位接合該暫時基板與該永久基板，以使該第二半導體疊層塊接合于該第二表面上；以及

自該暫時基板分離該第二半導體疊層塊。

6.如權利要求第1項所述的發光元件的制造方法，其中該第二表面及該第一表面不在同一水平面。

7.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，還包括對該永久基板施以一黃光及蝕刻制作工藝以使該第二表面及該第一表面不在同一水平面。

8.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中該第三半導體疊層塊經由一第一接合層接合于該第一表面上，被接合至該永久基板的該第一半導體疊層塊或該第二半導體疊層塊經由一第二接合層接合于該第二表面上，且該第一接合層與該第二接合層的厚度不同。

9.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中在該第一基板的該多個半導體疊層塊被區分成一第一區域及一第二區域，其中該第一區域大致為圓形，而該第二區域大致為環繞該第一區域的一環狀，被結合至永久基板的該第一半導體疊層塊或該第二半導體疊層塊為分離自該第一基板的該第一區域，該第三半導體疊層塊為分離自該第一基板的該第二區域。

10.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中該分離步驟于該第一接合步驟之前進行。

11.如權利要求1所述的發光元件的制造方法，其中，該分離步驟包括：形成一第一犧牲層于該第三半導體疊層塊上；提供一暫時基板；接合該暫時基板與該第一犧牲層；以及從該第一基板分離該第三半導體疊層塊。