[發明專利]散熱結構體及其制造方法以及電子裝置

有效

• 申請號: 201380077122.4
• 申請日: 2013-06-03
• 公開（公告）號: CN105247674B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 崎田幸惠;山口佳孝
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L23/373;H05K7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 苗堃,金世煜

1.一種散熱結構體，其特征在于，具有多個碳元素線狀結構體和覆蓋層，其中，所述線狀結構體的至少一側端部彎曲，所述覆蓋層在所述線狀結構體的表面形成，覆蓋所述線狀結構體的另一側端部的部分的厚度為所述線狀結構體可塑性變形的厚度，并且從所述一側端部到所述另一側端部變薄。

2.根據權利要求1所述的散熱結構體，其特征在于，所述多個線狀結構體的所述另一側端部彎曲。

3.根據權利要求1或2所述的散熱結構體，其特征在于，所述覆蓋層中的覆蓋所述線狀結構體的所述另一側端部的部分的厚度是20nm以下。

4.根據權利要求1所述的散熱結構體，其特征在于，所述覆蓋層含有鋁氧化物、鈦氧化物、鉿氧化物、鐵氧化物、銦氧化物、鑭氧化物、鉬氧化物、鈮氧化物、鎳氧化物、釕氧化物、硅氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、釔氧化物或鋯氧化物。

5.根據權利要求1所述的散熱結構體，其特征在于，進一步具有在所述線狀結構體之間填充的樹脂層。

6.一種散熱結構體的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在基板上形成多個碳元素線狀結構體的工序，

使所述多個線狀結構體的前端部彎曲的工序，

利用原子層沉積法，在所述線狀結構體的表面形成覆蓋層的工序，其中，所述覆蓋層覆蓋所述線狀結構體的另一側端部的部分的厚度是所述線狀結構體可塑性變形的厚度，并且從所述一側端部到所述另一側端部變薄。

7.根據權利要求6所述的散熱結構體的制造方法，其特征在于，在形成所述覆蓋層的工序中，通過控制供給一種原料氣體至供給其他原料氣體為止的時間，控制所述覆蓋層厚度的分布。

8.根據權利要求6或7所述的散熱結構體的制造方法，其特征在于，進一步具有在形成所述覆蓋層的工序之后通過施加負荷而使所述多個線狀結構體的所述另一側端部彎曲的工序。

9.根據權利要求6所述的散熱結構體的制造方法，其特征在于，所述覆蓋層中的覆蓋所述線狀結構體的所述另一側端部的部分的厚度是20nm以下。

10.根據權利要求6所述的散熱結構體的制造方法，其特征在于，所述覆蓋層含有鋁氧化物、鈦氧化物、鉿氧化物、鐵氧化物、銦氧化物、鑭氧化物、鉬氧化物、鈮氧化物、鎳氧化物、釕氧化物、硅氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、釔氧化物或鋯氧化物。

11.根據權利要求6所述的散熱結構體的制造方法，其特征在于，進一步具有在形成所述覆蓋層的工序之后在所述線狀結構體之間填充樹脂的工序。

12.一種電子裝置，其特征在于：具有

發熱體、

散熱體和

散熱結構體，所述散熱結構體具有多個碳元素線狀結構體和覆蓋層，其中，所述線狀結構體的一側端部彎曲，所述覆蓋層在所述線狀結構體的表面形成，覆蓋所述線狀結構體的另一側端部的部分的厚度為所述線狀結構體可塑性變形的厚度，并且從所述一側端部到所述另一側端部變薄，所述線狀結構體的所述另一側端部是彎曲的，

所述多個線狀結構體彎曲的所述一側端部的側面的一部分與所述發熱體和所述散熱體的一個接觸，

所述多個線狀結構體彎曲的所述另一側端部的側面的一部分與所述發熱體和所述散熱體的另一個接觸。