[發明專利]以非光刻方式圖案化的定向自組裝對準促進層

有效

• 申請號: 201380077030.6
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN105474359B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: R·L·布里斯托;R·胡拉尼;E·漢;J·M·布萊克威爾
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 何焜

1.一種集成電路的制造方法，包括：

在襯底的表面上方形成定向自組裝對準促進層，所述襯底具有第一圖案化區域和第二圖案化區域，形成所述定向自組裝對準促進層包括在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成第一定向自組裝對準促進材料，其中在不使用光刻圖案化的情況下進行在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成所述第一定向自組裝對準促進材料；以及

通過定向自組裝在所述定向自組裝對準促進層上方形成組裝層，形成所述組裝層包括形成多個組裝結構，所述多個組裝結構各自主要包括在所述第一定向自組裝對準促進材料上方的第一類型的聚合物，并且所述多個組裝結構各自主要被所述第二圖案化區域上方的不同的第二類型的聚合物鄰近包圍，所述第一定向自組裝對準促進材料對于所述第一類型的聚合物的化學親和勢比對于所述不同的第二類型的聚合物的化學親和勢大。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成所述第一定向自組裝對準促進材料包括：執行與所述第二圖案化區域的不同的第二材料相比對所述第一圖案化區域的材料優先的反應。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一圖案化區域的所述材料和所述第二圖案化區域的所述不同的第二材料中的一個是金屬材料而另一個是電介質材料。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，執行所述反應包括以下項中的至少一項：

使氨基硅烷、鹵代硅烷和烷氧基硅烷中的至少一種與所述第一圖案化區域的羥化基團反應；

使聚合物的官能基團與所述第一圖案化區域的羥化基團反應；

使磷酸與所述第一圖案化區域的金屬反應；

使硫醇與所述第一圖案化區域的金屬反應；

使三唑和腐蝕抑制劑中的至少一個與所述第一圖案化區域的金屬反應；

使1,2,4三唑與所述第一圖案化區域的金屬反應；

使雜環腐蝕抑制劑與所述第一圖案化區域的金屬反應；以及

使多官能的親電體與所述第一圖案化區域的羥化基團反應。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成所述第一定向自組裝對準促進材料包括：

在所述第一和第二圖案化區域的頂面上方引入所述第一定向自組裝對準促進材料，所述第一圖案化區域的頂面相對于所述第二圖案化區域的頂面凹陷；以及

從所述第二圖案化區域的頂面上方去除所述第一定向自組裝對準促進材料，同時留下所述第一圖案化區域的頂面上方的所述第一定向自組裝對準促進材料。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，去除所述第一定向自組裝對準促進材料包括：執行蝕刻、化學機械拋光以及熱處理中的至少一種以去除所述第一定向自組裝對準促進材料。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括：在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成所述第一定向自組裝對準促進材料之后，通過執行與保留在所述第一圖案化區域的頂面上方的所述第一定向自組裝對準促進材料相比對于所述第二圖案化區域的頂面的材料優先的反應，在所述第二圖案化區域上方但不在所述第一圖案化區域上方選擇性地形成不同的第二定向自組裝對準促進材料。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述定向自組裝對準促進層包括：

在所述第一圖案化區域的金屬材料上方選擇性地形成所述第一定向自組裝對準促進材料，所述第一定向自組裝對準促進材料對于所述第一類型的聚合物的化學親和勢大于對于所述第二類型的聚合物的化學親和勢；以及

在所述第二圖案化區域的電介質材料上方選擇性地形成不同的第二定向自組裝對準促進材料，所述第二定向自組裝對準促進材料具有如下的化學親和勢中的一種：對于第二類型的聚合物的化學親和勢大于對于第一類型的聚合物的化學親和勢；以及對于第一和第二類型的聚合物的化學親和勢相同。