[發明專利]陶瓷燒結體、用其構成的耐腐蝕性構件、過濾器和防光暈構件有效
| 申請號： | 201380076844.8 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN105246860B | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 平野義宜;石川和洋;織田武廣 | 申請（專利權）人： | 京瓷株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/591 | 分類號： | C04B35/591;C04B35/584 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 張玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 燒結 構成 腐蝕性 構件 過濾器 光暈 | ||
1.一種陶瓷燒結體，其特征在于，相對于總質量含有氮化硅80質量％以上而構成，在表層中散布含有Fe和Si的化合物，當量圓直徑為0.05μm以上且5μm以下的所述化合物每1mm2存在2.0×104個以上且2.0×105個以下，所述氮化硅的結晶的晶界相含有鈣鋁黃長石和硅酸鈣中的至少任意一種。
2.根據權利要求1所述的陶瓷燒結體，其特征在于，在所述晶界相含有鈣鎂橄欖石和鎂硅鈣石中的至少任意一種。
3.根據權利要求2所述的陶瓷燒結體，其特征在于，所述鈣鎂橄欖石和所述鎂硅鈣石的各含量的合計，所述表層的一方比內部多。
4.根據權利要求2或3所述的陶瓷燒結體，其特征在于，在所述表層中，由X射線衍射法求得的衍射角34°～35°下的所述鈣鎂橄欖石和所述鎂硅鈣石的各自的峰值強度I1和I2的合計相對于衍射角27°～28°下的所述氮化硅的峰值強度I0的比率{(I1+I2)/I0×100}為4％以上。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的陶瓷燒結體，其特征在于，在內部中不含金屬硅。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的陶瓷燒結體，其特征在于，所述陶瓷燒結體是多孔體，其氣孔直徑的累積分布曲線中的累積75體積％的氣孔直徑p75，相對于累積25體積％的氣孔直徑p25的比即p75/p25為1.1以上且1.5以下。
7.一種耐腐蝕性構件，其特征在于，使用權利要求1至權利要求6中任一項所述的陶瓷燒結體構成。
8.一種過濾器，其特征在于，使用權利要求1至權利要求6中任一項所述的陶瓷燒結體構成。
9.一種防光暈構件，其特征在于，使用權利要求1至權利要求6中任一項所述的陶瓷燒結體構成。
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