[發(fā)明專利]光半導體集成元件以及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201380076823.6
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN105229523A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發(fā)明（設計）人: 高林和雅;山本剛之
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025;G02B6/122;G02B6/13;G02F1/017;H01S5/026
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種光半導體集成元件，是具備由在半導體基板上至少層疊第1導電型下部包覆層、波導芯層以及上部包覆層而成的層疊構造構成的條紋狀的波導的光半導體集成元件，其特征在于，

上述上部包覆層具有與上述第1導電型相反導電型且在上述波導的延伸方向上被分離的第2導電型上部包覆層、和連接上述被分離的第2導電型上部包覆層間的i型上部包覆層，

設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域和設置有至少2個以上的上述第2導電型上部包覆層的波導區(qū)域在與上述波導的主要的延伸方向垂直的方向上偏移，設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域和設置有上述第2導電型上部包覆層的波導區(qū)域通過折曲部連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

上述條紋狀的波導以電介質氧化膜以及有機絕緣物嵌入。

3.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

上述條紋狀的波導以半絕緣性半導體層嵌入。

4.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

上述i型上部包覆層呈圓弧狀地折曲。

5.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域以及設置有上述第2導電型上部包覆層的波導區(qū)域具有與上述波導的主要的延伸方向平行的直線狀部和與上述直線狀部的兩端連接的折曲部，

設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域的折曲部和設置有第2導電型上部包覆層的波導區(qū)域的折曲部連接來形成S字狀的波導。

6.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

設置有上述第2導電型上部包覆層的波導部的一方為分布反饋型半導體激光器，

隔著設置有上述i型上部包覆層的部分與上述分布反饋型半導體激光器對置的設置有上述第2導電型上部包覆層的波導部的另一方為光調制器或者半導體光放大器中的任意一個，

在成為上述分布反饋型半導體激光器的波導部的層疊構造的至少一部分形成有衍射光柵。

7.根據(jù)權利要求6所述的光半導體集成元件，其特征在于，

形成上述層疊構造的波導芯層為多量子阱有源層。

8.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，具有：

上述i型上部包覆層與上述第2導電型上部包覆層交替地排列的2個調制波導；

與上述2個調制波導的兩端連接的1×2聯(lián)接器；

與上述1×2聯(lián)接器的一方連接的輸入波導；

與上述1×2聯(lián)接器的另一方連接的輸出波導；

在與上述2個調制波導的上述第2導電型上部包覆層對應的區(qū)域上分別單個設置的電極。

9.根據(jù)權利要求8所述的光半導體集成元件，其特征在于，

設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域呈圓弧狀地折曲。

10.根據(jù)權利要求9所述的光半導體集成元件，其特征在于，

設置有上述第2導電型上部包覆層的波導區(qū)域還在與設置有上述i型上部包覆層的波導區(qū)域的折曲方向相反方向上呈圓弧狀地折曲。

11.根據(jù)權利要求1所述的光半導體集成元件，其特征在于，

在上述第2導電型上部包覆層上具有第2導電型接觸層。