[發(fā)明專利]清洗方法和清洗裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380076677.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN105210177B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 星子貴廣;齊藤正廣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社DALTON
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉淼

本發(fā)明的課題在于提供一種方法和裝置，在清洗半導(dǎo)體基板等被清洗部件時(shí)，可抑制混于該清洗介質(zhì)中的被清洗物的再次附著，并且可實(shí)現(xiàn)高的處理能力。上述課題通過下述方法解決，該方法包括：噴射步驟(B)，其中，將多個(gè)被清洗部件(1)沉降于充滿處理液(2)的處理槽(11)內(nèi)，在保持該狀態(tài)的同時(shí)，朝向多個(gè)被清洗部件(1)噴射與充滿于上述處理槽(11)中的處理液(2)相同的處理液(2)；排出步驟(C)，其中，在對(duì)沉降有多個(gè)被清洗部件(1)的處理槽(11)內(nèi)的處理液(2)以及朝向多個(gè)被清洗部件(1)噴射的處理液(2)進(jìn)行排出時(shí)，為了一邊保持將多個(gè)被清洗部件(1)沉降于處理液(2)中的狀態(tài)，一邊從處理槽(11)內(nèi)排出處理液(2)，在連續(xù)噴射處理液(2)的同時(shí)，將其排出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板等的被清洗部件的清洗方法和清洗裝置。更具體來說，本發(fā)明涉及一種清洗方法和清洗裝置，其中，控制基于噴淋的清洗介質(zhì)的導(dǎo)入和已導(dǎo)入的清洗介質(zhì)的導(dǎo)出，由此可在清洗半導(dǎo)體基板等的被清洗部件時(shí)抑制混合于該清洗介質(zhì)中的被清洗物的再次附著。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體基板上制作金屬薄膜圖案的方法之一包括剝離法。剝離法為下述的方法，在該方法中，在半導(dǎo)體基板上形成抗蝕圖案后，進(jìn)一步形成金屬薄膜，然后，將形成于半導(dǎo)體基板上的抗蝕圖案與形成于該抗蝕圖案上的金屬薄膜同時(shí)剝離，由此，制作金屬薄膜圖案。

作為用于這樣的剝離法的抗蝕圖案與金屬薄膜的剝離機(jī)構(gòu)，進(jìn)行每片的單片(枚葉)處理。比如，在專利文獻(xiàn)1中，提出下述的單片處理技術(shù)，其中，在使每片半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，涂敷抗蝕劑剝離液，接著在使半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，從噴嘴噴射處理液，由此使抗蝕劑膨潤，將抗蝕劑和形成于抗蝕劑上的金屬薄膜同時(shí)剝離。在該單片處理技術(shù)中，為了將金屬薄膜排出到半導(dǎo)體基板的外部，或?yàn)榱朔乐拱雽?dǎo)體基板的表面干燥的情況，將純水等的清洗液供給到半導(dǎo)體基板上。但是，在該單片處理技術(shù)中，會(huì)產(chǎn)生如下問題：用于使抗蝕劑膨潤并剝離的處理液會(huì)與將金屬薄膜排出到外部的清洗液碰撞，產(chǎn)生兩種液體的液滴、霧。該問題會(huì)引起從半導(dǎo)體基板剝離了的不需要的金屬薄膜再次附著于半導(dǎo)體基板上的問題。

針對(duì)這樣的問題，在專利文獻(xiàn)2中提出有下述單片處理技術(shù)，其中，設(shè)置氣體噴射噴嘴，該噴嘴吹走流過旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體基板的表面的清洗液，防止清洗液與從噴射噴嘴而噴射的處理液碰撞的情況。在該單片處理技術(shù)中，由于從氣體噴射噴嘴噴射氣體從而吹走清洗液，防止了處理液與清洗液的碰撞，故可防止因處理液與清洗液的碰撞而產(chǎn)生的液滴和霧的飛散。

另一方面，作為剝離法的抗蝕圖案與金屬薄膜的其它剝離機(jī)構(gòu)，進(jìn)行批量單片處理。批量單片處理為下述的技術(shù)，與上述那樣的每片的單片處理不同，其是將多個(gè)半導(dǎo)體基板收納于盒中并通過批量處理將其浸漬于剝離槽中，從槽的側(cè)面或內(nèi)面施加超聲波從而使抗蝕劑膨潤，然后，每次一片地從盒中取出半導(dǎo)體基板，在保持于旋轉(zhuǎn)夾具上而旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，噴射噴氣水流，由此，將抗蝕圖案和抗蝕圖案上的金屬薄膜同時(shí)去除。

在該批量單片處理技術(shù)中，伴隨半導(dǎo)體基板的近年的大口徑化，難以均勻地對(duì)全部的半導(dǎo)體基板施加超聲波，抗蝕劑的膨潤效果有時(shí)會(huì)產(chǎn)生不均勻。另外，如果剝離槽形成為溢流結(jié)構(gòu)，則已剝離的金屬薄膜在槽內(nèi)浮游，在將半導(dǎo)體基板從剝離槽中取出時(shí)，該薄膜有時(shí)會(huì)再次附著于半導(dǎo)體基板上。由此，在將半導(dǎo)體基板吸接于旋轉(zhuǎn)夾具上進(jìn)行清洗之前，必須預(yù)先對(duì)半導(dǎo)體基板的內(nèi)面進(jìn)行清洗。

針對(duì)這樣的問題，在專利文獻(xiàn)3中，提出有批量單片處理裝置，其中，使剝離槽與置換槽鄰接，構(gòu)成通過腔而覆蓋其頂面的浸漬槽單元，在該腔內(nèi)設(shè)置可將半導(dǎo)體基板保持于水平狀態(tài)和直立狀態(tài)的保持架。在該批量單片處理裝置中，保持架可進(jìn)行上下移動(dòng)和橫移，半導(dǎo)體基板以直立狀態(tài)浸漬于剝離槽內(nèi)，在抗蝕劑膨潤后，對(duì)基板面照射超聲波，然后一口氣排除剝離液，在進(jìn)行清潔的剝離液的噴淋的同時(shí)，從剝離槽中取出半導(dǎo)體基板。通過這樣的批量單片處理技術(shù)，即使為大尺寸的半導(dǎo)體基板，仍可對(duì)整個(gè)面進(jìn)行剝離處理，剝離液、置換液的量也少，還可解決已剝離的金屬膜的再次附著的問題。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)