[發明專利]具有非晶金屬電阻器的熱噴墨打印頭堆疊件

有效

• 申請號: 201380076125.6
• 申請日: 2013-07-12
• 公開（公告）號: CN105163941B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 小詹姆斯·埃爾默·阿博特;羅伯托·A·普列塞;格雷·斯考特·朗
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: B41J2/335
• 分類號: B41J2/335;B41J2/345
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 康泉,王珍仙

1.一種具有非晶金屬電阻器的熱噴墨打印頭堆疊件，包括：

絕緣基底；

應用至所述絕緣基底的電阻器，所述電阻器包括如下的非晶膜：

5原子％至90原子％的類金屬，其中所述類金屬是碳、硅或者硼，

5原子％至90原子％的第一金屬，其中所述第一金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，和

5原子％至90原子％的第二金屬，其中所述第二金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，其中所述第二金屬不同于所述第一金屬，

其中所述類金屬、所述第一金屬和所述第二金屬占所述非晶膜的至少70原子％，且其中所述電阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度。

2.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述非晶膜進一步包括從5原子％至85原子％的第三金屬，其中所述第三金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，其中所述第三金屬不同于所述第一金屬和所述第二金屬。

3.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，進一步包括與所述電阻器電連接的導體對，所述導體對包括施加至所述導體對的頂表面而不施加至所述電阻器的鈍化層。

4.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，進一步包括施加至所述電阻器的薄電絕緣膜。

5.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜進一步包括從0.1原子％至15原子％的摻雜劑，所述摻雜劑為氮、氧或其混合物。

6.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜具有至少400℃的熱穩定性并且具有至少700℃的氧化溫度。

7.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜具有小于0.05nm/min的氧化物生長速率。

8.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜在所述類金屬、所述第一金屬和所述第二金屬的至少兩個之間相對于彼此具有至少12％的原子分散度。

9.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜在所述類金屬、所述第一金屬和所述第二金屬的每個之間相對于彼此具有至少12％的原子分散度。

10.權利要求1所述的熱噴墨打印頭堆疊件，其中所述電阻器的所述非晶膜具有從100μΩ·cm至10000μΩ·cm的體積電阻率。

11.一種制造具有非晶金屬電阻器的熱噴墨打印頭堆疊件的方法，包括：

以熱噴墨電阻器形式施加非晶膜至絕緣基底，所述非晶膜包括：

5原子％至90原子％的類金屬，其中所述類金屬是碳、硅或者硼；

5原子％至90原子％的第一金屬，其中所述第一金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑；和

5原子％至90原子％的第二金屬，其中所述第二金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，并且其中所述第二金屬不同于所述第一金屬；其中所述電阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度，

施加導體對至所述絕緣基底并且與所述非晶金屬電阻器電連通；和

施加鈍化層至所述導體對，從而當裝載噴墨油墨時化學隔離和電隔離所述導體對與噴墨油墨的接觸。

12.權利要求11所述的方法，進一步包括施加一個或者多個保護層至所述電阻器的步驟。

13.權利要求11所述的方法，其中所述非晶金屬電阻器進一步包括從5原子％至85原子％的第三金屬，其中所述第三金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，其中所述第三金屬不同于所述第一金屬和所述第二金屬。

14.一種熱噴墨打印的方法，包括從使用加熱電阻器的噴墨打印頭熱噴墨噴墨油墨的液滴，所述加熱電阻器包括如下的非晶膜：

5原子％至90原子％的類金屬，其中所述類金屬是碳、硅或者硼；

5原子％至90原子％的第一金屬，其中所述第一金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑；和

5原子％至90原子％的第二金屬，其中所述第二金屬是鈦、釩、鉻、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、銠、鈀、鉿、鉭、鎢、銥或者鉑，并且其中所述第二金屬不同于所述第一金屬，其中所述電阻器的所述非晶膜具有小于1nm的表面RMS粗糙度。