[發(fā)明專利]碳化硅粉末和碳化硅單晶的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380076003.7 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN105246826A | 公開（公告）日： | 2016-01-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 增田賢太;一坪幸輝;鈴木將和;野中潔;加藤智久;田中秀秋 | 申請（專利權）人： | 太平洋水泥株式會社;獨立行政法人產業(yè)技術綜合研究所 |
| 主分類號： | C01B31/36 | 分類號： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;褚瑤楊 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 粉末 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅粉末，其為勃氏比表面積為250cm2/g～1,000cm2/g的碳化硅粉末，其中，粒度超過0.70mm且為3.00mm以下的碳化硅粉末在該碳化硅粉末的總量中所占的比例為50體積％以上。
2.如權利要求1所述的碳化硅粉末，其中，上述碳化硅粉末含有一次粒子凝集而成的粒子，所述一次粒子中，粒度為1μm以上、1mm以下的粒子的比例為90體積％以上。
3.如權利要求1或2所述的碳化硅粉末，其中，上述碳化硅粉末為含有α型碳化硅的粉末、含有β型碳化硅的粉末或含有α型碳化硅和β型碳化硅的混合物的粉末。
4.一種碳化硅單晶的制造方法，其中，使用權利要求1～3任一項所述的碳化硅粉末作為原料，利用升華再結晶法，使碳化硅單晶在碳化硅籽晶上生長。
5.如權利要求4所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，通過以堆密度為0.7g/cm3～1.4g/cm3的方式將上述碳化硅粉末收容于坩堝內并對其加熱，使碳化硅單晶在設置于坩堝上蓋的底面部分的碳化硅籽晶上生長。
6.如權利要求4或5所述的碳化硅單晶的制造方法，其中，通過以熱傳導率為0.05W/m·K～0.15W/m·K的方式將上述碳化硅粉末收容于坩堝內并對其加熱，使碳化硅單晶在設置于坩堝上蓋的底面部分的碳化硅籽晶上生長。
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