[發明專利]用于處理基底堆疊的保持系統、裝置及方法有效
| 申請號: | 201380075117.X | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN105074898B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發明(設計)人: | E.塔爾納;P.林德納 | 申請(專利權)人: | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 嚴志軍;宣力偉 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 基底 堆疊 保持 系統 裝置 方法 | ||
1.一種保持系統(1,20),其用于處理待與第二基底(13)接合的第一基底(4),所述保持系統具有:
-保持表面(1o,20o),其用于保持第一基底(4),以及
-至少一個凹口(2,21),相對于所述保持表面(1o,20o)凹入,用于保持磁性作用的附接機構,以用于相對于與所述第一基底(4)對準的第二基底(13)固定所述第一基底(4),
-其中,另外的磁體被應用在所述第二基底(13)的背對所述第一基底(4)的固持側(13h)上;
其中,由所述第一基底(4)和所述第二基底(13)構成的基底堆疊(14)在省略所述保持系統(1,20)的情況下能夠僅利用所述附接機構移動。
2.根據權利要求1所述的保持系統,其特征在于,所述凹口(2,21)設計為至少一個架,其布置在外周上,具有用于承坐所述附接機構的承坐區段(2o,21o),以及用于安裝所述附接機構的朝承坐表面(1o,20o)的中心定向的安裝區段(2o,21o)。
3.根據權利要求2所述的保持系統,其特征在于,所述承坐區段(2o,21o)相對于所述保持表面(1o,20o)傾斜小于60°的角度。
4.根據權利要求3所述的保持系統,其特征在于,所述承坐區段(2o,21o)相對于所述保持表面(1o,20o)傾斜小于45°的角度。
5.根據權利要求3所述的保持系統,其特征在于,所述承坐區段(2o,21o)相對于所述保持表面(1o,20o)傾斜小于30°的角度。
6.根據權利要求3所述的保持系統,其特征在于,所述承坐區段(2o,21o)相對于所述保持表面(1o,20o)傾斜小于15°的角度。
7.根據權利要求1所述的保持系統,其特征在于,所述凹口(2,21)均勻地布置分布在所述保持表面(1o,20o)的外周上。
8.用于處理基底堆疊(14)的裝置,所述基底堆疊(14)由第一基底(4)和相對于所述第一基底(4)對準的第二基底(13)構成,所述裝置具有磁性作用的附接機構,所述附接機構用于在對準的固定位置相對于所述第二基底(13)固定所述第一基底(4),其中,所述裝置具有放置系統(6),其用于將所述附接機構放置在所述基底堆疊(14)的背對彼此的側上,以及其中,所述基底堆疊(14)在省略保持系統的情況下能夠僅利用所述附接機構移動。
9.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述附接機構具有至少兩對磁性元件(5p)。
10.根據權利要求9所述的裝置,其特征在于,每一對磁性元件(5p)由磁活性的第一磁體和由所述第一磁體磁性吸引的第二磁體形成。
11.根據權利要求10所述的裝置,其特征在于,所述第二磁體是磁活性的。
12.根據權利要求10所述的裝置,其特征在于,所述第一磁體和/或所述第二磁體設計為球形的形狀。
13.根據權利要求10或12所述的裝置,其特征在于,所述第一磁體和/或所述第二磁體至少主要地在所述固定位置由所述一對磁性元件(5p)產生的磁力附接至所述基底堆疊(14)。
14.根據權利要求13所述的裝置,其特征在于,所述第一磁體和/或所述第二磁體完全地在所述固定位置由所述一對磁性元件(5p)產生的磁力附接至所述基底堆疊(14)。
15.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述裝置具有根據權利要求1至7中的一項所述的保持系統。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于EV集團E·索爾納有限責任公司,未經EV集團E·索爾納有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380075117.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種管道滴漏檢測聽偵器
- 下一篇:油浸式變壓器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





