[發明專利]表面電位分布測量裝置

有效

• 申請號: 201380074773.8
• 申請日: 2013-03-19
• 公開（公告）號: CN105102997B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 古川真陽;坪井雄一;吉滿哲夫;熊田亞紀子;日高邦彥;池田久利
• 申請（專利權）人: 東芝三菱電機產業系統株式會社;國立大學法人 東京大學
• 主分類號: G01R31/34
• 分類號: G01R31/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種表面電位分布測量裝置，對沿著旋轉電機的定子的定子線圈端部即定子線圈端的長邊方向設置的電場弛豫系統的表面電位進行測量，其特征在于，包括：

激光光源，該激光光源射出激光；

泡克耳斯晶體，從所述激光光源射出的所述激光從該泡克耳斯晶體的第1端面入射；

反射鏡，該反射鏡的正面設置于所述泡克耳斯晶體的所述第1端面的相反側的第2端面，使從所述泡克耳斯晶體的所述第1端面入射的所述激光向所述入射的方向的相反方向反射；

光檢測器，該光檢測器具有跟蹤逆變器脈沖電壓的高頻分量的頻帶，接受經所述反射鏡反射后的所述激光，并檢測出與所述泡克耳斯晶體的所述第1端面與所述第2端面之間的電位差即輸出電壓相對應的所述激光的光強；

保持搭載部，該保持搭載部至少對所述泡克耳斯晶體進行保持并移動；

電壓校正數據庫，該電壓校正數據庫中存儲有輸入電壓對輸出電壓特性，該輸入電壓對輸出電壓特性表示在所述反射鏡的背面施加了各個不同的輸入電壓時各個不同的所述輸入電壓與所述泡克耳斯晶體的所述輸出電壓之間的關系；以及

運算部，該運算部在所述反射鏡的背面將所述電場弛豫系統的一部分表面配置為測試部位時，將所述定子線圈上施加了電壓時的所述泡克耳斯晶體的所述輸出電壓設為測試時輸出電壓，基于所述電壓校正數據庫中存儲的所述輸入電壓對輸出電壓特性，將與所述測試時輸出電壓相對應的輸入電壓確定為所述電場弛豫系統的表面電位，

所述泡克耳斯晶體形成為垂直于軸方向的截面的大小沿著所述軸方向發生變化，

所述保持搭載部具有：

對所述泡克耳斯晶體的結構進行保護的保護部；

泡克耳斯晶體把持部，該泡克耳斯晶體把持部對所述泡克耳斯晶體進行把持并與所述泡克耳斯晶體作為一體地移動；

為了測量所述電場弛豫系統的表面電位而使所述泡克耳斯晶體移動的移動部；以及

控制所述移動部的驅動控制部，

所述泡克耳斯晶體把持部沿著所述保護部移動，

所述保護部形成有移動限制部，該移動限制部限制所述泡克耳斯晶體把持部的移動，以限制所述泡克耳斯晶體的所述第2端部從所述保護部突出。

2.一種表面電位分布測量裝置，對沿著旋轉電機的定子的定子線圈端部即定子線圈端的長邊方向設置的電場弛豫系統的表面電位進行測量，其特征在于，包括：

激光光源，該激光光源射出激光；

泡克耳斯晶體，從所述激光光源射出的所述激光從該泡克耳斯晶體的第1端面入射；

反射鏡，該反射鏡的正面設置于所述泡克耳斯晶體的所述第1端面的相反側的第2端面，使從所述泡克耳斯晶體的所述第1端面入射的所述激光向所述入射的方向的相反方向反射；

光檢測器，該光檢測器具有跟蹤逆變器脈沖電壓的高頻分量的頻帶，接受經所述反射鏡反射后的所述激光，并檢測出與所述泡克耳斯晶體的所述第1端面與所述第2端面之間的電位差即輸出電壓相對應的所述激光的光強；

保持搭載部，該保持搭載部至少對所述泡克耳斯晶體進行保持并移動；

電壓校正數據庫，該電壓校正數據庫中存儲有輸入電壓對輸出電壓特性，該輸入電壓對輸出電壓特性表示在所述反射鏡的背面施加了各個不同的輸入電壓時各個不同的所述輸入電壓與所述泡克耳斯晶體的所述輸出電壓之間的關系；以及

運算部，該運算部在所述反射鏡的背面將所述電場弛豫系統的一部分表面配置為測試部位時，將所述定子線圈上施加了電壓時的所述泡克耳斯晶體的所述輸出電壓設為測試時輸出電壓，基于所述電壓校正數據庫中存儲的所述輸入電壓對輸出電壓特性，將與所述測試時輸出電壓相對應的輸入電壓確定為所述電場弛豫系統的表面電位，

所述泡克耳斯晶體形成為垂直于軸方向的截面的大小沿著所述軸方向發生變化，

所述保持搭載部具有：

對所述泡克耳斯晶體的結構進行保護的保護部；

為了測量所述電場弛豫系統的表面電位而使所述泡克耳斯晶體移動的移動部；以及

控制所述移動部的驅動控制部，

所述泡克耳斯晶體形成為從所述第1端面向所述第2端面逐漸變細，

所述保護部形成有引導孔，該引導孔在所述泡克耳斯晶體的移動方向上貫通，用于使所述泡克耳斯晶體移動，

所述引導孔形成為向著所述電場弛豫系統逐漸變細，以限制所述泡克耳斯晶體的所述第2端部從所述保護部突出。