[發明專利]經由鋰多氧陰離子鹽的沉積在無機基底上形成氧化物殼

在審

• 申請號: 201380074615.2
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN105190960A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發明（設計）人: 郝建軍;C·S·艾倫
• 申請（專利權）人: 塞克姆公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛

1.一種用于使氧化物涂層沉積到無機基底上的方法，包括：

提供含有四-C1-C8-烷基銨多氧陰離子和鋰離子的水性溶液，其中所述四-C1-C8-烷基銨多氧陰離子包含四-C1-C8-烷基銨和具有通式AxOyz-的多氧陰離子，所述四-C1-C8-烷基銨和多氧陰離子之間的化學計量比取決于A在所述多氧陰離子中的價態；

使所述水性溶液與無機基底接觸足夠的時間以使鋰多氧陰離子通過異相成核沉積到所述無機基底表面上，從而形成初始涂覆的無機基底；以及

使所述初始涂覆的無機基底加熱足夠的時間以將所述鋰多氧陰離子轉化為氧化物，從而在所述無機基底上形成源自所述多氧陰離子的氧化物涂層，

其中所述四-C1-C8-烷基銨多氧陰離子包括具有通式AxOyz-的多氧陰離子，通式中的原子A表示過渡金屬或選自Al、Si、B、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb和Pb的金屬或準金屬，或其任意兩種或更多種的組合，O是氧原子，并且x、y和z值取決于A在所述多氧陰離子中的價態并且y>x。

2.如權利要求1所述的方法，其中由四甲基氫氧化銨制備所述四-C1-C8-烷基銨多氧陰離子。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述過渡金屬包括V、Zn、Mn和Fe的一種或多種。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述無機基底包括陶瓷氧化物。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述陶瓷氧化物包含Li+離子并且適于在鋰離子電池的陶瓷陰極材料中使用。

6.如任一前述權利要求所述的方法，其中所述四-C1-C8-烷基銨多氧陰離子是四甲基鋁酸銨且所述無機基底為陶瓷材料。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述陶瓷材料是鋰離子電池陰極材料。

8.一種用于使氧化鋁涂層沉積到無機基底上的方法，包括：

提供含有四-C1-C8-烷基鋁酸銨和鋰離子的水性溶液，其中所述四-C1-C8-烷基鋁酸銨包含化學計量比為3:1的四-C1-C8-烷基銨和鋁酸銨；

使所述水性溶液與無機基底接觸足夠的時間以使鋁酸鋰通過異相成核沉積到所述無機基底表面上，從而形成初始涂覆的無機基底；以及

使所述初始涂覆的無機基底加熱足夠的時間以將所述鋁酸鋰轉化為氧化物，從而在所述無機基底上形成源自所述鋁酸鋰的氧化物涂層。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述無機基底是陶瓷材料。

10.如權利要求9所述的方法，其中所述陶瓷材料是鋰離子電池陰極材料。