[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201380074407.2
• 申請日: 2013-03-25
• 公開（公告）號: CN105027288B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 冨田昌明
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L29/47
• 分類號: H01L29/47;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/872
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體元件，其特征在于，至少包括：

具有第一面，且為第一導電型的半導體基板；

具有在所述半導體基板內與所述第一面鄰接的第一部分和在所述半導體基板上與所述第一面鄰接的第二部分，且是與所述第一導電型為相反導電型的第二導電型的保護環；以及

在所述半導體基板上與所述第一面鄰接，且與所述第二部分電氣連接，且與所述半導體基板肖特基接合的金屬層，

其中，所述金屬層的垂直方向的截面為矩形形狀，所述金屬層的最外側面的一部分在所述半導體基板的所述第一面的上方處與所述保護環的所述第二部分的側面相連接，從所述半導體基板的底面到所述金屬層的底面的厚度比從所述半導體基板的底面到所述保護環的最上面的厚度更小，

在所述保護環中設置至少一個非第二導電型的非形成部，

所述保護環的所述第一部分包含第一區域和與所述第一區域連結的第二區域，

所述第一區域與所述第二區域相比更靠近所述金屬層，

所述第二區域與所述第一區域相比在所述半導體基板的垂直方向上的深度更深。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：

其中，所述第二區域的下端彎曲，

所述非形成部是非第二導電型的半導體部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體元件，其特征在于：

所述保護環由摻雜濃度互不相同的第一濃度部和第二濃度部構成，

所述第一濃度部包含所述第二部分，

所述金屬層的側面的一部分和與其連結的底面的一部分與所述第一濃度部相連接，

所述第二濃度部的側面的至少一部分與所述第一濃度部的側面相連接，

所述非形成部的截面形狀為矩形、圓形以及橢圓形中的任意一種。