[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380074382.6
• 申請日: 2013-10-04
• 公開（公告）號: CN105009266A
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中田洋輔;中野誠也
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H05K3/34
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

半導(dǎo)體元件；

元件電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體元件的表面；以及

金屬膜，其設(shè)置于所述元件電極上，具有內(nèi)側(cè)區(qū)域和位于所述內(nèi)側(cè)區(qū)域周圍的外側(cè)區(qū)域，

在所述金屬膜中設(shè)置有在所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域之間將所述元件電極露出的開口，所述元件電極具有比所述金屬膜的焊料浸潤性低的焊料浸潤性，

該半導(dǎo)體裝置還具有外部電極，該外部電極與所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域進行焊料接合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域通過所述開口而分離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述開口在所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域之間以溝槽狀設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜的所述外側(cè)區(qū)域具有離散地配置的多個部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域僅以小于或等于一個尺寸彼此相連，所述一個尺寸小到下述程度，即，在將熔融的焊料配置于所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域上的情況下，阻礙從所述內(nèi)側(cè)區(qū)域向所述外側(cè)區(qū)域的焊料的展寬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域由相同材料形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域在相同工序中形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜至少局部地具有比所述元件電極的硬度高的硬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述金屬膜具有大于或等于1μm的厚度。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

半導(dǎo)體元件；

元件電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體元件的表面；

金屬膜，其設(shè)置于所述元件電極上；

包覆膜，其局部地設(shè)置于所述金屬膜上，將所述金屬膜區(qū)分為內(nèi)側(cè)區(qū)域和將所述內(nèi)側(cè)區(qū)域包圍的外側(cè)區(qū)域，具有比所述金屬膜的焊料浸潤性低的焊料浸潤性；以及

外部電極，其與所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域進行焊料接合，

在所述金屬膜中設(shè)置有在所述內(nèi)側(cè)區(qū)域及所述外側(cè)區(qū)域之間將所述元件電極露出的開口，所述包覆膜配置于所述開口。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述包覆膜包含厚度大于或等于2μm而小于或等于20μm的聚酰亞胺膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述元件電極由包含大于或等于95％的鋁的材料制成。

13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其用于制造權(quán)利要求1至5及10中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，

該制造方法具有下述工序：

形成設(shè)置有主面的襯底，其中，該主面具有有效區(qū)域以及所述有效區(qū)域外側(cè)的無效區(qū)域，在該有效區(qū)域配置了設(shè)置有所述元件電極的所述半導(dǎo)體元件；以及

在所述元件電極上形成所述金屬膜，

所述金屬膜包含位于所述無效區(qū)域上的部分，并且，

該制造方法具有下述工序：

在形成所述金屬膜之后，通過沿所述無效區(qū)域中的切割線的切割，切出所述半導(dǎo)體元件；以及

將所述外部電極向所述金屬膜的所述內(nèi)側(cè)區(qū)域進行焊料接合。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

形成所述金屬膜的工序包含在所述切割線上在所述金屬膜中形成開口的工序。