[發(fā)明專利]用于制備具有通過徑向擴張降低的應(yīng)變的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的方法和裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380073264.3
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN105144341B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·J·法爾斯特;V·V·沃龍科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿爾布雷克特
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽能愛迪生半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/687;H01L21/463;H01L21/322;H01L21/302;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種用于弛豫在異質(zhì)結(jié)構(gòu)中應(yīng)變的方法，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括襯底、在所述襯底上設(shè)置的表面層以及在所述襯底與所述表面層之間的界面，所述襯底包括中心軸、垂直于所述中心軸的背表面以及跨所述襯底穿過所述中心軸延伸的直徑，所述方法包括：

在所述襯底中形成位錯源層；以及

徑向擴張所述襯底以產(chǎn)生位錯并且從所述位錯源層將所述位錯朝向所述表面層滑動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述位錯滑動到襯底-表面層界面并且在所述界面處形成失配界面位錯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述直徑為150mm或更多。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述直徑為200mm或更多。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述直徑300mm或更多。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述結(jié)構(gòu)的所述直徑為450mm或更多。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述襯底由下列的材料組成：硅、碳化硅、藍(lán)寶石、鍺、硅鍺、氮化鎵、氮化鋁、砷化鎵、銦鎵砷或及其任何組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述表面層由下列材料組成：硅、碳化硅、藍(lán)寶石、鍺、硅鍺、氮化鎵、氮化鋁、砷化鎵、銦鎵砷或及其任何組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述表面層由硅鍺組成。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述襯底由硅組成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述襯底由硅組成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過從包括半導(dǎo)體材料的錠切片所述襯底來形成所述位錯源層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過研磨所述襯底的所述背表面來形成所述位錯源層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過噴砂所述襯底的所述背表面來形成所述位錯源層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過將離子注入到所述襯底中穿過所述襯底的所述背表面來形成所述位錯源層。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，將所述襯底加熱到至少550℃同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，將所述襯底加熱到至少650℃同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，將所述襯底加熱到至少700℃同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，從550℃到1000℃加熱所述襯底同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，從650℃到1000℃加熱所述襯底同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，從700℃到1000℃加熱所述襯底同時徑向擴張所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

22.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在所述徑向擴張期間，將應(yīng)力施加到所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述應(yīng)力為至少5MPa。