[發明專利]具有底層蝕刻停止的納米線晶體管

有效

• 申請號: 201380073109.1
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN105051905B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: S·金;D·奧貝蒂內;K·庫恩;A·默西
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種納米線晶體管，包括：

至少一個納米線溝道，所述至少一個納米線溝道具有第一端和相對的第二端，其中，所述至少一個納米線溝道設置在微電子襯底之上；

源極結構，所述源極結構接近所述至少一個納米線第一端，其中，第一底層蝕刻停止結構設置在所述源極結構與所述至少一個納米線第一端之間并且設置在整個源極結構與所述微電子襯底之間；以及

漏極結構，所述漏極結構接近所述至少一個納米線第二端，其中，第二底層蝕刻停止結構設置在所述漏極結構與所述至少一個納米線第二端之間并且設置在整個漏極結構與所述微電子襯底之間。

2.根據權利要求1所述的納米線晶體管，還包括柵極電介質材料，所述柵極電介質材料鄰接所述納米線溝道第一端與所述納米線溝道第二端之間的所述納米線溝道。

3.根據權利要求2所述的納米線晶體管，還包括柵極電極材料，所述柵極電極材料鄰接所述柵極電介質材料。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結構和所述第二底層蝕刻停止結構是相同的材料。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結構和所述第二底層蝕刻停止結構是硅鍺。

6.根據權利要求1至3中的任一項所述的納米線晶體管，其中，所述納米線溝道、所述第一底層蝕刻停止結構和所述第二底層蝕刻停止結構是硅。

7.根據權利要求1所述的納米線晶體管，其中，所述至少一個納米線溝道包括形成于微電子襯底之上的多個納米線溝道，其中，所述納米線溝道彼此間隔開。

8.一種形成微電子結構的方法，包括：

在微電子襯底上形成鰭片結構，其中，所述鰭片結構包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層；

跨所述鰭片結構形成至少兩個間隔體；

在所述至少兩個間隔體之間形成犧牲柵極電極材料；

去除在所述犧牲柵極電極材料和所述間隔體之外的一部分鰭片結構，以形成鰭片結構第一端和相對的鰭片結構第二端；

形成底層蝕刻停止結構，以鄰接所述鰭片結構第一端和所述鰭片結構第二端；以及

形成源極結構和漏極結構，以鄰接在所述鰭片結構的相對端上的所述底層蝕刻停止結構。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述源極結構和所述漏極結構上方形成層間電介質層；

從所述間隔體之間去除所述犧牲柵極電極材料；以及

選擇性地去除在所述溝道材料層之間的所述犧牲材料層，以形成至少一個溝道納米線。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

形成柵極電介質材料，以圍繞所述間隔體之間的所述溝道納米線；以及

在所述柵極電介質材料上形成柵極電極材料。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述微電子襯底上形成所述鰭片結構，其中，所述鰭片結構包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層，包括：

形成微電子襯底；

形成疊置層，所述疊置層包括與至少一個溝道材料層交替的至少一個犧牲材料層；以及

由分層疊置體形成至少一個鰭片結構。

12.根據權利要求8至11中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層和所述底層蝕刻停止結構是相同的材料。

13.根據權利要求8至11中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層和所述底層蝕刻停止結構是硅鍺。

14.根據權利要求8至11中的任一項所述的方法，其中，所述溝道材料層和所述底層蝕刻停止結構是硅。