[發(fā)明專利]用于穩(wěn)定化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中的纖絲的方法及系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380072800.8 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104981560A | 公開(公告)日: | 2015-10-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦文軍;C·費(fèi)羅;A·D·羅茲;J·C·古姆 | 申請(專利權(quán))人: | GTAT公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/24 | 分類號(hào): | C23C16/24;C23C16/44;C01B33/035 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 美國新罕*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 穩(wěn)定 化學(xué) 沉積 反應(yīng)器 中的 纖絲 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器系統(tǒng),其包含:
包含多個(gè)電連接的底板;
自該底板延伸的纖絲對,各纖絲(i)與該等電連接中的兩者電接觸且(ii)在該兩個(gè)電連接間界定導(dǎo)電路徑;以及
連接該纖絲對的穩(wěn)定件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件包含電絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件包含至少一個(gè)電絕緣連接件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件進(jìn)一步包含至少一個(gè)支撐桿。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng),其中,該電絕緣連接件包含至少一個(gè)用于承接該至少一個(gè)支撐桿的插口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件包含由中心電絕緣連接件接合的兩個(gè)外部支撐桿。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該等外部支撐桿中的至少一者包含硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,該中心電絕緣連接件包含石英或氮化硅中的至少一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件的長度可調(diào)節(jié)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,各纖絲包含:
兩個(gè)垂直纖絲片段,各垂直片段包含與該等電連接中的一者電接觸的近端,及遠(yuǎn)端;以及
在該遠(yuǎn)端連接該兩個(gè)垂直纖絲片段的橋。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件在該等垂直纖絲片段中的一者的該遠(yuǎn)端附近連接于該等纖絲中的至少一者。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件在該橋處連接于該等纖絲中的至少一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件與該橋間的穩(wěn)定件角選自約20度至約160度的范圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件角選自約80度至約100度的范圍。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng),其中,各纖絲實(shí)質(zhì)上為U形。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其中,該穩(wěn)定件及該纖絲對經(jīng)配置以界定環(huán)或部分環(huán)中的至少一者。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng),其中,該至少一個(gè)環(huán)或部分環(huán)包含超過兩個(gè)纖絲及超過一個(gè)穩(wěn)定件。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包含第二纖絲對及連接該第二纖絲對的第二穩(wěn)定件,其中,該纖絲對經(jīng)配置以在第一電相位起作用,且該第二纖絲對經(jīng)配置以在第二電相位起作用。
19.一種穩(wěn)定化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中的纖絲的方法,該方法包含以下步驟:
提供自該化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器中的底板延伸的纖絲對,該底板包含多個(gè)電連接,各纖絲(i)與該等電連接中的兩者電接觸且(ii)在該兩個(gè)電連接間界定導(dǎo)電路徑;以及
連接該纖絲對與至少一個(gè)穩(wěn)定件。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,該穩(wěn)定件包含電絕緣材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,該穩(wěn)定件包含至少一個(gè)電絕緣連接件。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法,其中,該穩(wěn)定件進(jìn)一步包含至少一個(gè)支撐桿。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中,該電絕緣連接件包含至少一個(gè)用于承接該至少一個(gè)支撐桿的插口。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,該穩(wěn)定件包含由中心電絕緣連接件接合的兩個(gè)外部支撐桿。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中,該等外部支撐桿中的至少一者包含硅。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法,其中,該中心電絕緣連接件包含石英或氮化硅中的至少一者。
27.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,該穩(wěn)定件的長度可調(diào)節(jié)。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,各纖絲包含:
兩個(gè)垂直纖絲片段,各垂直片段包含與該等電連接中的一者電接觸的近端,及遠(yuǎn)端;以及
在該遠(yuǎn)端連接該兩個(gè)垂直纖絲片段的橋。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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