[發明專利]高純度含單烯基甘油衍生物及其制造方法有效
| 申請號： | 201380072607.4 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN105189430B | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 早田達央;澤山小百合;杉浦常仁;田村誠基;堀誠司 | 申請（專利權）人： | 道康寧東麗株式會社 |
| 主分類號： | C07C43/178 | 分類號： | C07C43/178;A61K8/893;A61K47/34;C07C41/28;C08G77/50;C07C41/03 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 純度 含單烯基 甘油 衍生物 及其 制造 方法 | ||
1.一種含單烯基甘油衍生物的制造方法，所述含單烯基甘油衍生物的純度為92％以上，室溫下的2.0質量％水溶液的導電度為50μS/cm以下；
所述方法包含以下的工序(A)～(C)：
工序(A)：使縮酮化甘油衍生物及單烯基縮水甘油醚在無機堿的存在下反應而得到含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(B)：通過蒸餾精制工序(A)中得到的所述含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(C)：將工序(B)中得到的含單烯基甘油衍生物的縮酮體在酸或酸性無機鹽的存在下水解的工序。
2.一種含單烯基甘油衍生物的制造方法，所述含單烯基甘油衍生物的純度為95％以上，室溫下的2.0質量％水溶液的導電度為30μS/cm以下；
所述方法包含以下的工序(A)～(C)：
工序(A)：使縮酮化甘油衍生物及單烯基縮水甘油醚在無機堿的存在下反應而得到含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(B)：通過蒸餾精制工序(A)中得到的所述含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(C)：將工序(B)中得到的含單烯基甘油衍生物的縮酮體在酸或酸性無機鹽的存在下水解的工序。
3.一種含單烯基甘油衍生物的制造方法，所述含單烯基甘油衍生物的純度為95％以上，室溫下的2.0質量％水溶液的導電度為5μS/cm以下；
所述方法包含以下的工序(A)～(C)：
工序(A)：使縮酮化甘油衍生物及單烯基縮水甘油醚在無機堿的存在下反應而得到含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(B)：通過蒸餾精制工序(A)中得到的所述含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(C)：將工序(B)中得到的含單烯基甘油衍生物的縮酮體在酸或酸性無機鹽的存在下水解的工序。
4.一種含單烯基甘油衍生物的制造方法，所述的含單烯基甘油衍生物為含單烯基二甘油；所述方法包含以下的工序(A)～(C)：
工序(A)：使縮酮化甘油衍生物及單烯基縮水甘油醚在無機堿的存在下反應而得到含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(B)：通過蒸餾精制工序(A)中得到的所述含單烯基甘油衍生物的縮酮體的工序；
工序(C)：將工序(B)中得到的含單烯基甘油衍生物的縮酮體在酸或酸性無機鹽的存在下水解的工序。
5.如權利要求1-4中任一項所述的制造方法，其中，所述無機堿選自堿金屬氫氧化物、堿土金屬氫氧化物、堿金屬的醇鹽物、堿土金屬的醇鹽物及它們的混合物。
6.如權利要求1～4中任一項所述的制造方法，其中，所述(C)工序中的所述酸為鹽酸或三氟乙酸。
7.如權利要求1～4中任一項所述的制造方法，其中，在所述(C)工序后，還含有(D)除去酸或酸性無機鹽的工序。
8.如權利要求6所述的制造方法，其中，在所述(C)工序后，還含有(D)除去酸或酸性無機鹽的工序。
9.如權利要求7所述的制造方法，其中，所述(D)工序包含汽提。
10.如權利要求8所述的制造方法，其中，所述(D)工序包含汽提。
11.如權利要求9或10所述的制造方法，其中，所述(D)工序包含減壓汽提。
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