[發明專利]半導體裝置、集成電路和形成半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201380072129.7
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN104956489A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: A.邁澤;R.魏斯;F.希爾勒;M.韋萊邁爾;M.聰德爾;P.伊爾西格勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;徐紅燕

1.一種半導體裝置，包括位于具有第一主表面的半導體主體中的晶體管，所述晶體管包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

源極接觸，以電氣方式連接到源極區域；

漏極接觸，以電氣方式連接到漏極區域；

柵電極，位于溝道區域，溝道區域和漂移區被沿著第一方向設置在源極區域和漏極區域之間，第一方向平行于第一主表面，溝道區域具有沿著第一方向延伸的第一脊的形狀，

源極接觸和漏極接觸之一與第一主表面相鄰，源極接觸和漏極接觸中的另一個與第二主表面相鄰，第二主表面與第一主表面相對。

2.根據權利要求1的半導體裝置，還包括：背側金屬化，位于第二主表面上方，背側金屬化連接到與第二主表面相鄰的源極接觸或漏極接觸。

3.根據權利要求2的半導體裝置，還包括：感測接觸，位于第一主表面，感測接觸經背側接觸與背側金屬化連接。

4.根據權利要求3的半導體裝置，其中所述背側接觸被設置在從第一主表面延伸到第二主表面的背側接觸開口中。

5.根據前面權利要求中任一項的半導體裝置，其中源極和漏極區域被設置為與第一主表面相鄰。

6.根據前面權利要求中任一項的半導體裝置，還包括：柵極溝槽，被設置在第一主表面中并且沿第一方向延伸，柵電極的部分被設置在柵極溝槽中。

7.根據前面權利要求中任一項的半導體裝置，還包括：場板溝槽，被設置在第一主表面中并且沿第一方向延伸，場板的部分被設置在場板溝槽中。

8.根據前面權利要求中任一項的半導體裝置，還包括：絕緣層，與第二主表面接觸。

9.根據權利要求8的半導體裝置，還包括：另一半導體層，與絕緣層的背側接觸。

10.一種集成電路，包括分別位于具有第一主表面的半導體主體中的第一和第二晶體管，第一和第二晶體管中的每一個包括：

源極區域；

漏極區域；

溝道區域；

漂移區；

源極接觸，以電氣方式連接到源極區域；

漏極接觸，以電氣方式連接到漏極區域；

柵電極，位于溝道區域，溝道區域和漂移區被沿著第一方向設置在源極區域和漏極區域之間，第一方向平行于第一主表面，溝道區域具有沿著第一方向延伸的第一脊的形狀，

第一晶體管的源極接觸和漏極接觸之一與第一主表面相鄰，第一晶體管的源極接觸和漏極接觸中的另一個與第二主表面相鄰，第二主表面與第一主表面相對。

11.根據權利要求10的集成電路，其中所述第一晶體管的源極接觸和第二晶體管的漏極接觸與第一和第二主表面之一相鄰，并且第一晶體管的漏極接觸和第二晶體管的源極接觸與第一和第二主表面中的另一個相鄰。

12.根據權利要求11的集成電路，還包括：金屬化層，以電氣方式連接第一晶體管的源極接觸和第二晶體管的漏極接觸。

13.根據權利要求10至12中任一項的集成電路，還包括：隔離溝槽，使第一晶體管與第二晶體管絕緣，隔離溝槽被設置在第一和第二晶體管之間。

14.根據權利要求10至13中任一項的集成電路，其中：第一和第二晶體管的源極接觸與第一和第二主表面之一相鄰，并且第一和第二晶體管的漏極接觸與第一和第二主表面中的另一個相鄰。

15.一種制造半導體裝置的方法，包括在具有第一主表面的半導體主體中形成晶體管，所述方法包括：

形成與第一主表面相鄰的源極區域和漏極區域；

形成與第一主表面相鄰的溝道區域和漂移區；

在源極和漏極區域之間形成柵電極，形成柵電極包含在第一主表面中形成柵極溝槽；以及

形成從第一主表面延伸到第二主表面的接觸開口，第二主表面與第一主表面相對。

16.根據權利要求15的方法，還包括：在第一主表面中形成場板溝槽，通過聯合處理方法來執行形成場板溝槽和形成接觸開口。

17.根據權利要求16的方法，其中所述接觸開口具有比場板溝槽的寬度和深度大的寬度和深度。