[發(fā)明專利]用于確定關(guān)注界面的位置的方法和設(shè)備、以及發(fā)明的計(jì)算程序領(lǐng)域有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380072127.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104969064B | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿托·沃歐迪萊依恩;P·拉科南;A·勒伊克恩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 諾克索萊有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/22 | 分類號(hào): | G01N27/22;G01N27/24 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 章侃銥,張?jiān)≡?/td> |
| 地址: | 芬蘭庫*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 確定 關(guān)注 界面 位置 方法 設(shè)備 以及 發(fā)明 計(jì)算 程序 領(lǐng)域 | ||
1.一種確定目標(biāo)域中在可流動(dòng)材料的自由體積(14)與限制所述自由體積的固體材料之間關(guān)注界面的位置的方法,所述方法包括以下步驟:
-提供所述目標(biāo)域的數(shù)學(xué)模型(21),針對(duì)多對(duì)電極組來確定與由一對(duì)電極組形成的電容器的電容成比例的特征電量,所述電極組的電極(12)被配置為與所述目標(biāo)域成電容測量連接且由所述目標(biāo)域中具有邊界面的固體支撐體(11)來支撐,所述數(shù)學(xué)模型指所述目標(biāo)域的物理材料特性與所述特征電量之間關(guān)系的數(shù)值表示;
-針對(duì)多對(duì)電極組來接收所述特征電量的測量值;
-調(diào)整所述數(shù)學(xué)模型(21)以便減小測量到的特征電量值與由所述數(shù)學(xué)模型確定的值之間的差異;以及
-基于調(diào)整后的數(shù)學(xué)模型確定所述關(guān)注界面的所述位置;
其中調(diào)整所述數(shù)學(xué)模型的步驟包括改變所述邊界面的所述位置,以便在確定所述關(guān)注界面的所述位置時(shí)考慮所述邊界面的可能損耗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述數(shù)學(xué)模型(21)被離散化為多個(gè)離散元素,每個(gè)離散元素表示一個(gè)離散位置,所述離散化具有變化的密度,所述密度朝著所述邊界面增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述支撐體包括管狀體,所述邊界面是所述管狀體的內(nèi)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述支撐體包括桿(31),所述邊界面是所述桿的表面(38)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述支撐體包括盤狀體(41),所述邊界面是所述盤狀體的兩個(gè)主表面(48)中的一個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述邊界面限制所述目標(biāo)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述邊界面位于所述目標(biāo)域的內(nèi)部范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中由處理器根據(jù)程序代碼指令來執(zhí)行所述方法。
9.一種確定目標(biāo)域中在可流動(dòng)材料的自由體積(14)與限制所述自由體積的固體材料之間關(guān)注界面的位置的設(shè)備,所述設(shè)備包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器、以及與所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器耦合的至少一個(gè)處理器;其中所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器包括程序代碼指令,當(dāng)所述程序代碼指令由所述至少一個(gè)處理器執(zhí)行時(shí),使得所述設(shè)備執(zhí)行以下步驟:
-提供所述目標(biāo)域的數(shù)學(xué)模型(21),針對(duì)多對(duì)電極組來確定與由一對(duì)電極組形成的電容器的電容成比例的特征電量,所述電極組的電極(12)被配置為與所述目標(biāo)域成電容測量連接且由所述目標(biāo)域中具有邊界面的固體支撐體(11)來支撐,所述數(shù)學(xué)模型指所述目標(biāo)域的物理材料特性與所述特征電量之間關(guān)系的數(shù)值表示;
-針對(duì)多對(duì)電極組來接收所述特征電量的測量值;
-調(diào)整所述數(shù)學(xué)模型(21)以便減小測量到的特征電量值與由所述數(shù)學(xué)模型確定的值之間的差異;以及
-基于調(diào)整后的數(shù)學(xué)模型確定所述關(guān)注界面的所述位置;
其中調(diào)整所述數(shù)學(xué)模型的步驟包括改變所述邊界面的所述位置,以便在確定所述關(guān)注界面的所述位置時(shí)考慮所述邊界面的可能損耗。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備(50),其中所述數(shù)學(xué)模型(21)被離散化為多個(gè)離散元素,每個(gè)離散元素表示一個(gè)離散位置,所述離散化具有變化的密度,所述密度朝著所述邊界面增大。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的設(shè)備,其中所述支撐體包括管狀體,所述邊界面是所述管狀體的內(nèi)表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的設(shè)備,其中所述支撐體包括桿(31),所述邊界面是所述桿的表面(38)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的設(shè)備,其中所述支撐體包括盤狀體(41),所述邊界面是所述盤狀體的兩個(gè)主表面(48)中的一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的設(shè)備,其中所述邊界面限制所述目標(biāo)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的設(shè)備,其中所述邊界面位于所述目標(biāo)域的內(nèi)部范圍內(nèi)。
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