[發(fā)明專利]支持擴展寫入的存儲器模塊控制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380072007.8
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN104937577B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設計）人: J.A.圖塞克;M.D.利利布里奇;W.戈拉布
• 申請（專利權）人: 慧與發(fā)展有限責任合伙企業(yè)
• 主分類號: G06F13/14
• 分類號: G06F13/14;G06F13/24;G06F3/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;陳嵐

示例方法和裝置公開了支持向存儲器的擴展寫入。本文公開的示例方法包括：在沒有處理器干預的情況下將與寫入請求相關聯(lián)的恢復信息存儲在存儲器中，所述恢復信息用于促進在寫入被中斷的情況下重做或取消由寫入請求所請求的寫入，所述寫入請求是從處理器接收的并且包括目的地址和新數(shù)據(jù)；以及如果寫入沒有被中斷，則在沒有處理器干預的情況下將新數(shù)據(jù)寫入到存儲器中的目的地址。

背景技術

一些計算系統(tǒng)使用隨機存取存儲器（RAM）設備作為中間存儲裝置，以用于對也被存儲在長期大容量存儲設備（例如，磁性存儲器、光學存儲器、閃速存儲器等等）中的數(shù)據(jù)的相對快速的訪問。按照這種方式，計算系統(tǒng)能夠通過將來自長期大容量存儲設備的數(shù)據(jù)拷貝到中間RAM設備以及通過訪問來自RAM設備的數(shù)據(jù)來實行更快速的數(shù)據(jù)訪問。

用于長期存儲裝置的固態(tài)存儲器設備包括非易失性隨機存取存儲器（NVRAM），比如相變ram（PCRAM）、憶阻器和自旋轉移矩隨機存取存儲器（STT-RAM）。NVRAM是持久存儲器，其即使在電力被去除時也保持其中存儲的數(shù)據(jù)。

附圖說明

圖1A是表示由根據(jù)本公開的教導而實現(xiàn)的示例存儲器模塊控制器所處理的存儲器訪問命令的示例命令流程圖。

圖1B是具有存儲器模塊的示例處理器系統(tǒng)，所述存儲器模塊具有圖1A的示例存儲器模塊控制器。

圖2圖示了表示由圖1A和圖1B的示例存儲器模塊控制器所處理的示例原子寫入命令的示例命令格式。

圖3圖示了表示由圖1A和圖1B的示例存儲器模塊控制器所處理的示例寫時拷貝（copy-on-write，COW）寫入命令的示例命令格式。

圖4是圖1A、圖1B、圖2和/或圖3的示例存儲器模塊控制器。

圖5是表示可以被執(zhí)行為執(zhí)行原子寫入命令的過程的示例流程圖。

圖6是表示可以被執(zhí)行為實行存儲器的恢復的過程的示例流程圖。

圖7是表示可以被執(zhí)行為執(zhí)行COW寫入命令的過程的示例流程圖。

具體實施方式

可以使用本文公開的示例方法、裝置和制造品來實現(xiàn)存儲器模塊控制器，所述存儲器模塊控制器處理原子寫入命令和/或寫時拷貝（COW）命令。這些存儲器模塊控制器可以記錄與用于在處理中斷方面使用的命令相關聯(lián)的恢復信息。本文公開的示例還能夠實現(xiàn)存儲器模塊控制器，所述存儲器模塊控制器基于來自處理器的單個命令和/或使用比現(xiàn)有系統(tǒng)所要求的更少的處理器干預來對存儲器實行多存儲器訪問過程。可以使用所公開的示例來實現(xiàn)在具有非易失性存儲器（例如，閃速設備、憶阻器設備、PCRAM設備、STT-RAM設備等）和/或易失性存儲器（例如，動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）等）的存儲器模塊中的存儲器模塊控制器。所公開的示例結合包括非易失性存儲器和/或易失性存儲器和/或其他偽非易失性存儲器（例如，具有短期應急電力（例如，來自電池或超級電容器）的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和非易失性后備存儲庫（例如，等同于DRAM存儲容量的閃速存儲容量））的任何合適類型的持久存儲裝置而是有用的，所述易失性存儲器具有允許該易失性存儲器操作為長期存儲設備的恒定電源（例如，備用電池）。

在本文公開的示例中，系統(tǒng)可以包括具有集成存儲器控制器的處理器、存儲器總線、以及具有存儲器模塊控制器和存儲器的存儲器模塊。系統(tǒng)使用戶能夠存儲和訪問存儲器中的數(shù)據(jù)或計算機可讀指令以通過指令的執(zhí)行來實現(xiàn)其他過程。處理器的存儲器控制器控制由處理器經(jīng)由存儲器總線而實行的存儲器訪問操作（例如，讀取、寫入等）。存儲器模塊的存儲器模塊控制器控制存儲器并且可以在沒有處理器（或存儲器控制器）干預的情況下實行存儲器訪問操作。