[發(fā)明專利]電弧等離子體成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380071791.0
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN105102669B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木正康;森元陽介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社島津制作所
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11019
• 代理人: 壽寧,張華輝

1.一種電弧等離子體成膜裝置，其特征在于包括：

成膜腔室，儲存作為處理對象的基板；

等離子體腔室，儲存靶的至少一部分，且與所述成膜腔室連結(jié)；以及

多個中空線圈，在所述靶與所述成膜腔室之間具有至少一處彎曲部以產(chǎn)生連續(xù)的磁力線，被包含非磁性金屬的外皮覆蓋，且配置于所述等離子體腔室內(nèi)；

利用電弧放電而在所述等離子體腔室內(nèi)生成的含有源自所述靶材料的離子的等離子體是通過所述多個中空線圈的內(nèi)側(cè)而從所述靶被輸送到所述基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，在所述中空線圈的內(nèi)部，配置有：

線圈部，被供給電流；

水冷管，流通冷卻水；以及

水冷板，由所述水冷管冷卻；且

所述中空線圈的內(nèi)部由具有導(dǎo)熱性的樹脂填充。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述中空線圈的所述外皮的材料為不銹鋼合金、鋁合金及銅合金中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，還包括等離子體電位修正電極，所述等離子體電位修正電極配置于所述中空線圈之間的空間的周圍，所述等離子體是通過所述等離子體電位修正電極的內(nèi)側(cè)而從所述靶被輸送到所述基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體電位修正電極的材料為不銹鋼合金、鋁合金及銅合金中的任一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，在與所述靶相向的區(qū)域未配置所述等離子體電位修正電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體電位修正電極的電位為-20V以上且+20V以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體電位修正電極是配置于所述中空線圈的內(nèi)側(cè)的等離子體電位修正管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體電位修正管是直管或彎曲管。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，還包括縮徑板，所述縮徑板在周圍被所述中空線圈包圍的區(qū)域內(nèi)，配置于所述等離子體電位修正管的內(nèi)部，且在中央部具有供所述等離子體通過的開口部。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述縮徑板的材料為不銹鋼合金、鋁合金及銅合金中的任一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體腔室具有取出窗，所述取出窗用于將所述等離子體電位修正電極取出到外部。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，所述等離子體腔室內(nèi)的所述中空線圈可彼此獨立地調(diào)整配置。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電弧等離子體成膜裝置，其特征在于，配置于所述靶與所述成膜腔室之間的所述中空線圈是以形成鏡像磁場的方式而設(shè)定。