[發明專利]用于垂直半導體器件的精度提高的器件體系結構和方法

在審

• 申請號: 201380071294.0
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN105051876A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: T.E.哈林頓三世
• 申請（專利權）人: D3半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;劉春元

1.一種可微調垂直半導體器件，包括：

第一垂直半導體器件；

與所述第一半導體器件并聯連接的第二垂直半導體器件的集合；并且

所述第二垂直半導體器件的集合中的每一個具有激活鏈路，連接至所述第一垂直半導體器件，用于微調所述可微調垂直半導體器件，并且具有隔離鏈路，連接至所述第一半導體器件，用于創建所述第二半導體器件的集合的級聯隔離。

2.根據權利要求1所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述第二垂直半導體器件的集合中的每一個還包括：

連接至所述激活鏈路的電阻器。

3.根據權利要求1所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述激活鏈路是激光熔線。

4.根據權利要求1所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述激活鏈路是電可編程熔線。

5.根據權利要求4所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述電可編程熔線具有非易失性存儲器元件。

6.根據權利要求1所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述垂直半導體器件是場效應器件。

7.一種可微調垂直半導體器件，包括：

具有第一柵極端子、第一源極端子和第一漏極端子的第一垂直半導體器件；

具有第二柵極端子、第二源極端子和第二漏極端子的第二垂直半導體器件；

所述第一垂直半導體器件與所述第二垂直半導體器件并聯連接；

連接在所述第一柵極端子與所述第二柵極端子之間的隔離熔線；以及

連接在所述第一源極端子與所述第二柵極端子之間的激活熔線。

8.根據權利要求7所述的可微調垂直半導體器件，還包括：

第三垂直半導體器件的集合；

所述第三垂直半導體器件的集合中的每一個具有第三柵極端子、第三源極端子以及第三漏極端子；

所述第三垂直半導體器件的集合中的每一個與所述第一垂直半導體器件并聯連接；

第二隔離熔線的集合，所述第二隔離熔線的集合中的每一個連接在所述第一柵極端子與所述第三垂直半導體器件的集合中的每一個第三柵極端子之間；以及

第二激活熔線的集合，所述第二激活熔線的集合中的每一個連接在所述第一源極端子與所述第三垂直半導體器件的集合中的每一個第三柵極端子之間。

9.根據權利要求8所述的可微調垂直半導體器件，還包括：

第一電阻器的集合；并且

所述第一電阻器的集合中的每一個電阻器連接在所述第二隔離熔線的集合中的每一個與所述第三垂直半導體器件的集合中的每一個第三柵極端子之間。

10.根據權利要求7所述的可微調垂直半導體器件，還包括：

連接在所述激活熔線與所述第二柵極端子之間的第一電阻器。

11.根據權利要求7所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述第一垂直半導體器件是MOSFET器件并且所述第二垂直半導體器件是MOSFET器件。

12.根據權利要求7所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述第一垂直半導體器件是IGBT器件并且所述第二垂直半導體器件是IGBT器件。

13.根據權利要求7所述的可微調垂直半導體器件，其中，所述第一垂直半導體器件是VDMOS并且所述第二垂直半導體器件是VDMOS器件。

14.一種制成垂直場效應器件的方法，所述垂直場效應器件具有漏極端子、源極端子以及柵極端子，所述方法包括：

提供連接至所述漏極端子、所述源極端子以及所述柵極端子的第一場效應器件；

提供由并行激活熔線的集合連接至所述源極端子以及由串行隔離熔線的集合連接至所述柵極端子的第二場效應器件的集合；

測量器件參數；

將所述器件參數與目標值進行比較；以及

如果所述器件參數滿足所述目標值，則熔斷所述并行激活熔線的集合中的并行激活熔線。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述熔斷的步驟還包括熔斷所述并行激活熔線的集合中的多個并行激活熔線。

16.根據權利要求14所述的方法，包括以下進一步的步驟：

如果所述器件參數不滿足所述目標值，則熔斷所述串行隔離熔線的集合中的串行隔離熔線。