[發明專利]高性能層疊封裝體

有效

• 申請號: 201380070812.7
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104937716B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: I·莫哈梅德;B·哈巴
• 申請（專利權）人: 伊文薩思公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/10;H01L25/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種微電子組件，包括：

第一封裝體，包括微電子元件，所述微電子元件包含處理器，所述第一封裝體在其面處具有處理器封裝體端子；以及

第二封裝體，與所述第一封裝體電連接，所述第二封裝體包括：

兩個或更多個微電子元件，其中每個微電子元件都具有存儲器存儲陣列功能，每個微電子元件都具有：元件面、以及在相應的元件面處的多個接觸；

相對的上封裝體面和下封裝體面，其中每個封裝體面都與所述元件面平行；所述上封裝體面由覆在所述兩個或更多個微電子元件的所述元件面上面的介電層的表面限定；其中所述兩個或更多個微電子元件中的相應的微電子元件的邊緣的至少部分彼此間隔開，從而在所述邊緣之間限定中央區域，所述中央區域不覆在所述第二封裝體的所述微電子元件的所述元件面中的任何元件面上面；

在所述上封裝體面處的上端子，聯接至所述處理器封裝體端子、并且與所述接觸中的至少一些接觸電連接；以及

在所述下封裝體面處的下端子，配置為將所述組件與在所述組件外部的部件電連接；以及

導電結構，包括具有接線鍵合接線的接線鍵合，所述接線鍵合接線與所述中央區域對準、并且延伸通過所述第二封裝體以將所述下端子與下列各項中的至少一項電連接：所述上端子或者所述接觸。

2.根據權利要求1所述的微電子組件，進一步包括：

外圍導電互連結構，與外圍區域對準，所述外圍區域限定在所述第二封裝體的外邊緣與所述中央區域之間、并且不覆在所述第二封裝體的所述微電子元件的所述元件面中的任何元件面上面，所述外圍導電互連結構將所述下端子與下列各項中的至少一項連接：所述上端子或者所述接觸。

3.根據權利要求2所述的微電子組件，

其中與所述中央區域對準的所述導電結構的至少部分配置為，將電力或者接地中的至少一項傳送至所述上端子。

4.根據權利要求2所述的微電子組件，

其中與所述中央區域對準的所述導電結構的至少部分配置為，將電力或者接地中的至少一項傳送至所述第二封裝體的所述微電子元件的所述接觸。

5.根據權利要求3所述的微電子組件，

其中所述外圍導電互連結構中的至少一些外圍導電互連結構配置為，將數據信號傳送至所述上端子。

6.根據權利要求2所述的微電子組件，

其中所述上端子和所述下端子中的每一項都包括：中央端子，在所述中央區域處；以及外圍端子，在所述外圍區域處；并且

其中所述上端子包括：中間端子，覆在所述第二封裝體的所述微電子元件中的至少一個微電子元件的所述元件面上面。

7.根據權利要求1所述的微電子組件，

其中所述上端子中的至少一些上端子覆在所述第二封裝體的所述微電子元件中的至少一個微電子元件的所述元件面上面。

8.根據權利要求7所述的微電子組件，

其中所述上端子中的至少一些上端子，與所述第二封裝體的所述微電子元件中的至少一個微電子元件的所述接觸電連接，并且

與所述上端子中的至少一些上端子連接的所述處理器封裝體端子，與所述第一封裝體的所述微電子元件的接觸電連接。

9.根據權利要求7所述的微電子組件，

其中所述上端子中的至少一些上端子配置為，傳送下列各項中的至少一項：數據信號或者地址信息；所傳送的所述數據信號和/或所述地址信息，可以由在所述第二封裝體內的電路系統用于：從所述第二封裝體的所述微電子元件中的至少一個微電子元件的存儲器存儲陣列的所有可用的可尋址存儲單元中，確定可尋址存儲單元。

10.根據權利要求1所述的微電子組件，

其中所述上端子和所述下端子中的至少一些端子，在所述第二封裝體內與所述第二封裝體的所述微電子元件的所述接觸電連接。