[發明專利]存儲器單元和形成存儲器單元的方法

有效

• 申請號: 201380070048.3
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN104919590B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 保田周一郎;諾爾·洛克萊;史考特·E·西利士;D·V·尼爾摩·拉瑪斯瓦米;陶謙
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種存儲器單元，其包含：

位于電極對之間的切換區，所述切換區具有6埃到20埃的厚度并且包含第一離散部分和第二離散部分，其中所述第一離散部分具有在大于0埃到小于20埃范圍內的厚度，所述第一離散部分和所述第二離散部分在所述存儲器單元的高電阻狀態中不具有與任何直接抵靠對應離散部分的組合物相同的非氧組分，所述第一離散部分和所述第二離散部分中的各者是通過沉積來形成，并且所述第一離散部分和所述第二離散部分中的至少一者是通過原子層沉積來形成，所述第一離散部分和所述第二離散部分中的各者不具有與任何直接抵靠對應離散部分的相鄰層的任何組分相同的非氧組分。

2.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述第一離散部分和第二離散部分中的一者比另一者更厚。

3.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述切換區的所述第一離散部分和所述第二離散部分中的一者包含鋁、鉿、硅、鈦以及鋯中的一或多者。

4.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述切換區的所述第一離散部分和所述第二離散部分中的一者具有小于一個單層的厚度。

5.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中：

所述第一離散部分是由氧與一或多種過渡金屬的組合組成；以及

所述第二離散部分是由氧與一或多種非過渡元素的組合組成；其中所述非過渡元素是選自由金屬、半金屬、堿土元素以及其混合物組成的群組。

6.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中：

所述第一離散部分是由氧與一或多種非過渡元素的組合組成；其中所述非過渡元素是選自由金屬、半金屬、堿土元素以及其混合物組成的群組；以及

所述第二離散部分是由氧與一或多種過渡金屬的組合組成。