[發(fā)明專利]用于形成絕緣涂層的溶液及晶粒取向電工鋼片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380069093.7
• 申請(qǐng)日: 2013-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN105051255B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷吉斯·勒邁特;盧德格爾·拉恩;卡斯滕·舍佩爾斯;山崎修一;竹田和年;高橋克;佐藤博彥;金橋康二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蒂森克虜伯電工鋼有限公司;日本制鐵株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C22/07
• 分類號(hào): C23C22/07;H01F1/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 樊曉煥;金小芳

1.一種包含絕緣涂層的晶粒取向電工鋼片，其中所述絕緣涂層是通過使用用于形成晶粒取向電工鋼片的絕緣涂層的溶液形成的，

所述溶液包含通過將磷酸鹽溶液和膠體二氧化硅混合而制備的水溶液，其中所述膠體二氧化硅的二氧化硅顆粒經(jīng)鋁酸鹽表面改性或者所述膠體二氧化硅的溶液包含鋁酸鹽，并且所述水溶液不含鉻，

其中在所述絕緣涂層的橫截面中，孔隙所占的面積分?jǐn)?shù)小于10％，

其中所述絕緣涂層包括磷的化學(xué)結(jié)構(gòu)，使得所述絕緣涂層的³¹P核磁共振譜圖顯示出在-35ppm左右的³¹P化學(xué)位移，其中³¹P化學(xué)位移是以85質(zhì)量％的H₃PO₄溶液為參照，并且

其中在將峰位置定在0到-60ppm的范圍內(nèi)使用高斯擬合計(jì)算總的峰面積以及所述在-35ppm左右的³¹P化學(xué)位移的峰面積時(shí)，所述在-35ppm左右的³¹P化學(xué)位移的峰面積大于所述總的峰面積的30％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶粒取向電工鋼片，其中所述磷酸鹽溶液包括選自磷酸鋁、磷酸鎂、磷酸鎳和磷酸錳中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶粒取向電工鋼片，其中當(dāng)以無水物形式計(jì)算所述磷酸鹽溶液和所述膠體二氧化硅的量時(shí)，所述磷酸鹽溶液的量為總固體質(zhì)量的25質(zhì)量％至75質(zhì)量％，且膠體二氧化硅的量為總固體質(zhì)量的75質(zhì)量％至25質(zhì)量％。