[發明專利]晶體層疊結構體和發光元件

在審

• 申請號: 201380068787.9
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN104885195A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 森島嘉克;佐藤慎九郎;俊藤健;飯冢和幸;倉又朗人
• 申請（專利權）人: 株式會社田村制作所;株式會社光波
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/32
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙

1.一種晶體層疊結構體，其具有：

Ga₂O₃基板；

介電體層，其以部分地覆蓋所述Ga₂O₃基板的上表面的方式形成于所述Ga₂O₃基板上，與所述Ga₂O₃基板的折射率之差為0.15以下；以及

氮化物半導體層，其隔著所述介電體層形成于所述Ga₂O₃基板上，與所述介電體層和所述Ga₂O₃基板的上表面的沒有被所述介電體層覆蓋的部分接觸。

2.根據權利要求1所述的晶體層疊結構體，其中，

所述介電體層是以SiN為主成分的SiN層。

3.根據權利要求1或2所述的晶體層疊結構體，其中，

所述氮化物半導體層是GaN層。

4.根據權利要求3所述的晶體層疊結構體，其中，

所述氮化物半導體層的上表面的面方位為(002)。

5.根據權利要求1或2所述的晶體層疊結構體，其中，

所述介電體層的厚度為0.5μm以上。

6.一種發光元件，其包含權利要求1或2所述的晶體層疊結構體，

對所述Ga₂O₃基板和所述氮化物半導體層通電。