[發明專利]光檢測設備、包括該光檢測設備的光檢測封裝、以及包括該光檢測封裝的便攜設備

在審

• 申請號: 201380068774.1
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN104995751A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: 樸起延;金華睦;孫暎丸;俆大雄
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅

1.一種光檢測設備，包括：

襯底；

設于襯底上的第一光吸收層；

設在第一光吸收層上的第一區域中的第二光吸收層；以及

設在第一和第二光吸收層中的每一個上的第一電極層。

2.如權利要求1所述的光檢測設備，進一步包括第二電極層，其設在第一光吸收層上且與第一電極層間隔開。

3.如權利要求1所述的光檢測設備，進一步包括設在襯底的第二表面上的第二電極層，其中第一和第二光吸收層設置在襯底的與第二表面相對的第一表面上。

4.如權利要求1所述的光檢測設備，進一步包括第三光吸收層，其設置在第二光吸收層上的第二區域中，其中第一、第二和第三光吸收層包含不同的能帶間隙。

5.如權利要求1所述的光檢測設備，進一步包括緩沖層，其設置在襯底和第一光吸收層之間。

6.如權利要求4所述的光檢測設備，其中：

第一肖特基層設置在第一光吸收層上且與第二光吸收層間隔開，

第二肖特基層設置在第二光吸收層上且與第三光吸收層間隔開，以及

第三肖特基層設置在第三光吸收層上的第三區域中。

7.如權利要求6所述的光檢測設備，其中第一電極層設置在第一、第二和第三肖特基層中的每一個上。

8.如權利要求4所述的光檢測設備，進一步包括第一應變減少層，其設置在第二光吸收層和第三光吸收層之間。

9.如權利要求8所述的光檢測設備，進一步包括第二應變減少層，其設置在第一光吸收層和第二光吸收層之間。

10.如權利要求5所述的光檢測設備，其中：

緩沖層包括低溫GaN層，并且

第一光吸收層包括高溫GaN層。

11.如權利要求10所述的光檢測設備，其中：

第二光吸收層包括Al_xGa_1-xN，

第三光吸收層包括Al_yGa_1-yN，以及

第二光吸收層包括與第三光吸收層不同的Al組成，

其中，0<x<1，0<y<1。

12.如權利要求4所述的光檢測設備，其中第一光吸收層、第二光吸收層、及第三光吸收層中的每一個包括Al_xGa_1-xN層、Al_yGa_1-yN層、或者In_zGa_1-zN層，使得包含在第一、第二和第三吸收層中的任何一個中的Al_xGa_1-xN層、Al_yGa_1-yN層或In_zGa_1-zN層不被包含在剩余的吸收層中，其中，0<x<y，x<y<1，0<z<1。

13.如權利要求6所述的光檢測設備，其中第一、第二和第三肖特基層均包括從由ITO、Pt、W、Ti、Pd、Ru、Cr、Au、Ni和Cr構成的組中選擇的一個。

14.如權利要求9所述的光檢測設備，其中：

第一應變減少層包括Al_dIn_1-dN，且

第二應變減少層包括Al_fIn_1-fN，

其中，0<d≤1，0<f≤1。

15.一種光檢測封裝，包括

具有設于引線框架的頂部表面上的凹陷單元的引線框架；

設置在凹陷單元上的光檢測設備，所述光檢測設備包括多個具有不同能帶間隙的光吸收層和設置在相應光吸收層上的第一電極層；以及

設置在凹陷單元的底部表面的第一側上且彼此間隔開的多個第一電極板，所述第一電極板通過接合線電連接相應的第一電極層。