[發明專利]用于三態內容可尋址存儲器(TCAM)的靜態NAND單元

有效

• 申請號: 201380068595.8
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN104885159B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: E·特澤格魯;N·德塞;R·瓦蒂孔達;C·鄭;S·S·尹
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C15/04
• 分類號: G11C15/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒

1.一種靜態三態內容可尋址存儲器TCAM，包括：

配置成基于搜索位與鍵位的比較來生成比較輸出的鍵單元，其中響應于所述比較輸出指示所述搜索位與所述鍵位之間的匹配，第一下拉晶體管導通并且第一上拉晶體管不導通，并且其中響應于所述比較輸出指示所述搜索位與所述鍵位之間的失配，所述第一下拉晶體管不導通并且所述第一上拉晶體管導通；

配置成生成掩碼輸出的掩碼單元，其中響應于所述掩碼輸出被斷言，第二下拉晶體管導通并且第二上拉晶體管不導通，并且其中響應于所述掩碼輸出被解除斷言，所述第二下拉晶體管不導通并且所述第二上拉晶體管導通，所述第一下拉晶體管和所述第二下拉晶體管并聯連接在匹配線輸出與第一供電電壓端子之間，而所述第一上拉晶體管和所述第二上拉晶體管串聯連接在第二供電電壓端子與所述匹配線輸出之間。

2.如權利要求1所述的TCAM，其特征在于，所述掩碼單元是靜態隨機存取存儲器(SRAM)位單元。

3.如權利要求1所述的TCAM，其特征在于，所述鍵單元包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元和XNOR邏輯，其中所述XNOR的輸出被配置成生成所述比較輸出。

4.如權利要求3所述的TCAM，其特征在于，所述XNOR邏輯的輸出耦合到所述第一下拉晶體管和所述第一上拉晶體管。

5.如權利要求1所述的TCAM，其特征在于，還包括用于由所述鍵單元接收所述搜索位的搜索線輸入。

6.如權利要求1所述的TCAM，其特征在于，還包括耦合到所述第一下拉晶體管和所述第二下拉晶體管的中間匹配線。

7.一種用于操作靜態三態內容可尋址存儲器(TCAM)的方法，所述方法包括：

操作鍵單元以基于搜索位與鍵位的比較來生成比較輸出；

響應于所述比較輸出指示所述搜索位與所述鍵位之間的匹配，使第一下拉晶體管導通并且使第一上拉晶體管不導通，并且其中響應于所述比較輸出指示所述搜索位與所述鍵位之間的失配，使所述第一下拉晶體管不導通并且使所述第一上拉晶體管導通；

操作掩碼單元以生成掩碼輸出；

響應于所述掩碼輸出被斷言，使第二下拉晶體管導通并且使第二上拉晶體管不導通，并且其中響應于所述掩碼輸出被解除斷言，使所述第二下拉晶體管不導通并且使所述第二上拉晶體管導通，

所述第一下拉晶體管和所述第二下拉晶體管并聯連接在匹配線輸出與第一供電電壓端子之間，而所述第一上拉晶體管和所述第二上拉晶體管串聯連接在第二供電電壓端子與所述匹配線輸出之間。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，設置所述匹配線輸出，包括：

當所述鍵單元的比較輸出指示匹配時，經由所述第一下拉晶體管將所述匹配線輸出設置為低值；

當所述掩碼單元的掩碼輸出被斷言時，經由所述第二下拉晶體管將所述匹配線輸出設置為低值；以及

當所述掩碼單元的掩碼輸出被解除斷言和所述鍵單元的比較輸出指示失配時，經由所述第一上拉晶體管和所述第二上拉晶體管將所述匹配線輸出設置為高值。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，當中間匹配線指示先前的搜索值比較是失配時所述鍵單元的所述比較輸出或者所述掩碼單元的所述掩碼輸出不影響所述匹配線輸出。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩碼單元是靜態隨機存取存儲器(SRAM)位單元。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述鍵單元包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)單元和XNOR邏輯。