[發明專利]跨電源域的數據傳輸有效
| 申請號： | 201380068496.X | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104885085B | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發明（設計）人： | J·謝;Y·杜 | 申請（專利權）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/32 | 分類號： | G06F30/32;G06F1/3234;H03K19/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電源 數據傳輸 | ||
1.一種多層集成電路，包括：
多級電路構造，其包括在電源域A中進行操作的第一級以及在電源域B中進行操作的第二級；
所述第一級包括用于存儲數據的第一裝置；
所述第二級包括用于電平移位和存儲數據的裝置，其中用于電平移位和存儲數據的所述裝置還包括用于增強至用于電平移位和存儲數據的所述裝置的數據的寫入的裝置；
所述第二級包括隔離電路，其中，所述隔離電路包括第一n溝道MOSFET、第二n溝道MOSFET和倒相器，所述隔離電路用于從所述第一裝置接收數據，將在電源域A中進行操作的所述第一級與在電源域B中進行操作的所述第二級隔離，并且在所接收的數據為高時提供額外的下拉強度；
第一層；
第二層；
所述第一層包括所述第一級和用于向所述第一級提供功率的裝置；以及
所述第二層包括所述第二級和用于向所述第二級提供功率的裝置。
2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，
用于向所述第一級提供功率的所述裝置包括第一電源軌；并且
用于向所述第二級提供功率的所述裝置包括第二電源軌。
3.根據權利要求2所述的集成電路，還包括用于在所述第一級與所述第二級之間傳輸數據的裝置。
4.根據權利要求3所述的集成電路，其中，用于傳輸數據的所述裝置包括通孔網絡。
5.根據權利要求4所述的集成電路，其中，所述通孔網絡包括單片層間通孔。
6.一種多級電路構造，包括：
在電源域A中進行操作的第一級；
所述第一級包括用于存儲數據的第一裝置；
在電源域B中進行操作的第二級；
所述第二級包括用于將在電源域A中進行操作的所述第一級與在電源域B中進行操作的所述第二級隔離的裝置，其中，用于隔離的所述裝置包括第一n溝道MOSFET、第二n溝道MOSFET和倒相器，用于隔離的所述裝置還用于從所述第一裝置接收數據，并且在所接收的數據為高時提供額外的下拉強度；
所述第二級還包括用于在電源域B中進行電平移位和存儲數據的裝置；其中，用于電平移位和存儲的所述裝置還包括用于增強至用于電平移位和存儲的所述裝置的數據的寫入的裝置；
第一層和第二層；
所述第一層包括所述第一級和用于向所述第一級提供功率的裝置；以及
所述第二層包括所述第二級和用于向所述第二級提供功率的裝置。
7.根據權利要求6所述的構造，其中：
用于向所述第一級提供功率的所述裝置包括第一電源軌；并且
用于向所述第二級提供功率的所述裝置包括第二電源軌。
8.根據權利要求7所述的構造，還包括用于在所述第一級與所述第二級之間傳輸數據的裝置。
9.根據權利要求8所述的構造，其中，用于傳輸數據的所述裝置包括通孔網絡。
10.根據權利要求9所述的構造，其中，所述通孔網絡包括單片層間通孔。
11.根據權利要求6所述的構造，其中：
用于存儲數據的所述裝置包括主觸發器；
用于電平移位和存儲數據的所述裝置包括從觸發器和電平移位器電路。
12.根據權利要求11所述的構造，其中，所述從觸發器和電平移位器包括多個SRAM晶體管。
13.根據權利要求11所述的構造，其中，用于電平移位和存儲數據的所述裝置包括小于所述多級電路構造的總電路面積的70％的面積。
14.根據權利要求6所述的構造，其中，用于增強的所述裝置包括常開p溝道MOSFET頭端。
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