[發明專利]等離子體裝置和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201380068456.5
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN104885575A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 嚴勝煥;李基秀
• 申請（專利權）人: 威特爾有限公司
• 主分類號: H05H1/34
• 分類號: H05H1/34;H05H1/46
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種等離子體產生裝置，其包括：

外圍介電管，所述外圍介電管圍繞著距腔室的頂面的中心具有恒定半徑的圓周以固定的間隔布置；

外圍天線，所述外圍天線被布置為圍繞所述外圍介電管；

上部磁體，所述上部磁體與所述外圍介電管垂直地間隔開并且所述上部磁體被布置在同一第一平面上；和

下部磁體，所述下部磁體分別配置在位于所述上部磁體與所述外圍介電管之間的同一第二平面上，其中，

所述上部磁體的中心軸與所述下部磁體的中心軸彼此一致，并且

等離子體產生于所述外圍介電管的內部。

2.如權利要求1所述的等離子體產生裝置，其中，

所述上部磁體是環形的永磁體，且

所述上部磁體的磁化方向是上述環形的中心軸方向。

3.如權利要求2所述的等離子體產生裝置，其中，

所述下部磁體是環形的永磁體，

所述下部磁體的磁化方向是上述環形的中心軸方向，

所述上部磁體的磁化方向與所述下部磁體的磁化方向相同，且

各個所述上部磁體的外直徑等于或大于各個所述下部磁體的外直徑。

4.如權利要求1所述的等離子體產生裝置，還包括：

第一RF電源，所述第一RF電源被構造用來將電力供給至所述外圍天線；和

配電單元，所述配電單元被構造用來將所述電力分配至所述外圍天線。

5.如權利要求4所述的等離子體產生裝置，其中，

所述配電單元包括：

同軸電纜型輸入支路，所述輸入支路用來接收來自所述第一RF電源的電力；

三向支路，所述三向支路連接至所述輸入支路并且分成三個部分；

同軸電纜型T支路，所述T支路連接至所述三向支路并且分成兩個部分；和

地線，所述地線將所述T支路的外層覆蓋體連接至所述外圍天線，其中，

所述T支路的內導體分別連接至各個所述外圍天線的一端，且

所述T支路的所述外層覆蓋體分別連接至各個所述外圍天線的另一端。

6.如權利要求1所述的等離子體產生裝置，還包括：

中心介電管，所述中心介電管布置于所述腔室的頂面的中心；和

中心天線，所述中心天線布置為圍繞所述中心介電管。

7.如權利要求1所述的等離子體產生裝置，其中，

所述外圍介電管內部的磁場的方向與所述中心介電管內部的磁場的方向彼此相反。

8.如權利要求1所述的等離子體產生裝置，其中，

所述腔室包括：

金屬材料的下部腔室；

非金屬材料的上部腔室，所述上部腔室與所述下部腔室連續地連接；和

金屬材料的頂板，所述頂板用來覆蓋所述上部腔室的頂面，且

所述腔室還包括側方線圈，所述側方線圈圍繞所述上部腔室的側表面并且在所述腔室的內部產生電感耦合等離子體。