[發明專利]等離子體增強的化學氣相沉積(PECVD)源

在審

• 申請號: 201380068267.8
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN105008585A
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發明（設計）人: D.T.克羅利;P.L.摩斯;W.A.小梅雷迪思;J.R.格爾曼;M.L.尼亞爾
• 申請（專利權）人: 零件噴涂公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/513
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;劉春元

1.?一種等離子體源，其包括：

其中形成空腔的主體；和

設置于所述空腔內的至少兩個自含式磁控管組件；

其中所述磁控管組件彼此并且與所述主體互相電絕緣。

2.?如權利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。

3.?如權利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的每一者包括至少一個電極、至少一個磁體以及冷卻子系統。

4.?如權利要求3所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者包括與所述電極和所述磁體中的至少一者連接的核心。

5.?如權利要求4所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統包括形成于所述核心中的至少一個通道。

6.?如權利要求4所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統包括在所述磁控管組件中所包括的至少一個電極的目標部分中形成的至少一個通道。

7.?如權利要求1所述的等離子體源，其進一步包括用于在所述等離子體源內分配加工氣體的歧管或導管。

8.?如權利要求7所述的等離子體源，其中所述用于分配加工氣體的歧管或導管包括二元歧管。

9.?如權利要求1所述的等離子體源，其進一步包括用于分配前體氣體的歧管或導管。

10.?如權利要求1所述的等離子體源，其中至少一個電源連接于所述磁控管組件之間，使得所述磁控管組件中的相應電極被交替加偏壓以具有彼此相反的極性。

11.?如權利要求10所述的等離子體源，其中所述至少一個電源包括交流電電源和雙極性脈沖電源中的至少一種。

12.?如權利要求1所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得所述等離子體源的所述主體處于浮動電位或接地電位中的一種。

13.?如權利要求1所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得所述等離子體源的所述主體被加偏壓至特定的非接地電位。

14.?如權利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件包括平面磁控管。

15.?一種獲取等離子體的方法，其包括：

向等離子體源的主體內所形成的空腔中供應加工氣體，所述等離子體源包括設置于所述空腔內的至少兩個自含式磁控管組件，其中所述磁控管組件彼此并且與所述主體互相電絕緣；

對所述磁控管組件中的相應電極交替加偏壓，以使其具有彼此相反的極性；以及

將所述等離子體大體上向基底導引。

16.?如權利要求15所述的方法，其進一步包括將一定量的前體氣體導引至在所述基底附近的所述等離子體中。

17.?如權利要求15所述的方法，其中所述磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。

18.?如權利要求15所述的方法，其中供應所述加工氣體包括使用二元歧管供應所述加工氣體。

19.?如權利要求15所述的方法，其中供應所述前體氣體包括使用二元歧管供應所述前體氣體。

20.?一種等離子體源，其包括：

其中形成空腔的主體；

設置于所述空腔內的至少一個自含式磁控管組件；

設置于所述空腔內的至少兩個非磁控管電極；以及

具有輸出線圈的交流電(AC)電源；

其中所述至少兩個非磁控管電極彼此并且與并有所述空腔的所述主體互相電絕緣；并且

其中所述磁控管組件連接至所述AC電源的所述輸出線圈的中心抽頭，并且所述非磁控管電極連接至所述AC電源的所述輸出線圈的末端抽頭。