[發(fā)明專利]硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380068161.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104871302B | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竹野博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅基板 結(jié)合 壽命 測(cè)定 方法 | ||
1.一種硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法,其是對(duì)硅基板的表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理之后,測(cè)定再結(jié)合壽命的方法,其特征在于,
從所述化學(xué)鈍化處理到所述再結(jié)合壽命的測(cè)定結(jié)束的期間,至少進(jìn)行防護(hù)所述硅基板不受紫外線照射的紫外線防護(hù)處理,并且,在被遮光的環(huán)境下進(jìn)行所述化學(xué)鈍化處理到所述再結(jié)合壽命的測(cè)定,由此進(jìn)行所述紫外線防護(hù)處理。
2.一種硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法,其是對(duì)硅基板的表面進(jìn)行化學(xué)鈍化處理之后,測(cè)定再結(jié)合壽命的方法,其特征在于,
從所述化學(xué)鈍化處理到所述再結(jié)合壽命的測(cè)定結(jié)束的期間,至少進(jìn)行防護(hù)所述硅基板不受紫外線照射的紫外線防護(hù)處理,并且,在紫外線被切斷的環(huán)境下進(jìn)行所述化學(xué)鈍化處理到所述再結(jié)合壽命的測(cè)定,由此進(jìn)行所述紫外線防護(hù)處理。
3.如權(quán)利要求2所述的硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法,其特征在于,所述化學(xué)鈍化處理通過將所述硅基板插入至切斷紫外線的材質(zhì)的合成樹脂制的袋或容器而使其浸漬于化學(xué)鈍化用的溶液來進(jìn)行,測(cè)定再結(jié)合壽命。
4.如權(quán)利要求1或2所述的硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法,其特征在于,利用碘醇溶液來進(jìn)行所述化學(xué)鈍化處理。
5.如權(quán)利要求1或2所述的硅基板的再結(jié)合壽命測(cè)定方法,其特征在于,所述再結(jié)合壽命的測(cè)定是通過微波光導(dǎo)電衰減法來測(cè)定的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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