[發明專利]高頻放大電路

在審

• 申請號: 201380068007.0
• 申請日: 2013-10-28
• 公開（公告）號: CN104904117A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 廣岡博之
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/30;H03F3/19
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

技術領域

本發明涉及將輸入的高頻信號放大后輸出的高頻放大電路。

背景技術

無線通信終端中使用著各種高頻放大電路。這樣的高頻放大電路中，具有可改變多種動作模式的結構。例如，使用著專利文獻1所示的高頻放大電路。圖17是專利文獻1中記載的普通高頻放大電路的電路圖。

現有的高頻放大電路10P包括由npn型晶體管構成的放大器101和偏置確定部20P。放大器101的發射極接地。放大器101的基極經由輸入匹配電路901連接于輸入高頻信號的射頻(RF)輸入端子Pin。放大器101的集電極經由輸出匹配電路902連接于輸出經放大的高頻信號的射頻輸出端子Pout。

放大器101的集電極經由線圈301連接于驅動電壓施加端子P_VCC，從該驅動電壓施加端子P_VCC將直流驅動電壓V_CC施加于放大器101的集電極。驅動電壓施加端子P_VCC與線圈301的連接點通過電容器401接地。

偏置確定部20P包括由npn型晶體管構成的偏置控制元件102。偏置控制元件102的發射極經由電阻201連接于高頻放大用放大器101的基極。偏置控制元件102的集電極上連接有偏置用驅動電壓施加端子P_VC0，從該偏置用驅動電壓施加端子P_VC0將直流的偏置用驅動電壓V_C0施加于偏置控制元件102的集電極。

偏置控制元件102的基極經由電阻202連接于控制電壓輸入端子P_VCTL，從該控制電壓輸入端子P_VCTL將直流的控制電壓V_CTL施加于偏置控制元件102的基極。

這種現有的高頻放大電路10P中，將與動作模式相對應的控制電壓V_CTL施加于偏置控制元件102的基極。在低線性模式(Low?Linearity?Mode)下，降低控制電壓V_CTL。從而，從偏置控制元件102提供給高頻放大用放大器101的基極電流I_BB變低，能夠降低輸出的高頻信號電平，抑制功耗。在高線性模式(Hi?Linearity?Mode)下，提高控制電壓V_CTL。從而，從偏置控制元件102提供給高頻放大用放大器101的基極電流I_BB變高，可提高輸出的高頻信號電平。

現有技術文獻

專利文獻1：特開平11-330866號公報

發明內容

但是，在現有的高頻放大電路10P中，若如上述那樣在低線性模式時降低基極電流I_BB，則與基極電流I_BB相比高頻信號電平增大，向偏置控制元件102施加了高頻信號的影響。因此，提供給高頻放大用放大器101的基極電流I_BB也受到高頻信號的影響。由此，作為高頻放大電路的AM-AM特性和EVM特性惡化。

圖18是表示現有的高頻放大電路的相對于輸出功率的集電極電流特性的圖。圖19是表示現有的高頻放大電路的相對于輸出功率的AM-AM特性的圖。圖20是表示現有的高頻放大電路的相對于輸出功率的EVM特性的圖。此外，所謂AM-AM特性是表示輸入功率與輸出功率的相位變化的指標。而所謂EVM特性是Error?Vector?Magnitude(誤差矢量幅度)特性的縮略語，是表示在有故障的狀況下的解調器性能的指標。

如圖18所示，在低線性模式時，與高線性模式相比，集電極電流I_CC被抑制得較低。

但是，如圖19所示(參見粗箭頭部分)，在超過5dBm的中間輸出功率區域，AM-AM特性從0偏離，AM-AM特性劣化。與此相應，如圖20所示(參見粗箭頭部分)，EVM特性也劣化，變得高于高線性模式。

當前，隨著數據傳送量的增加，無線通信大都采用多值調制方式。但是，如上述那樣，在現有的高頻放大電路10P的結構的情況下，低線性模式中AM-AM特性和EVM特性較差，不能獲得充分的解調性能。

本發明的目的在于，提供抑制低線性模式時的AM-AM特性、EVM特性劣化的高頻放大電路。