[發明專利]透明有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201380067992.3
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN104885250A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 金龍哲;任從赫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種透明有機發光顯示裝置，該透明有機發光顯示裝置包括：

第一基板，該第一基板具有子像素區域，該子像素區域具有發射區域和透射區域；

薄膜晶體管TFT，該TFT被設置在所述發射區域中；

有機發光元件，該有機發光元件被設置在所述發射區域中，該有機發光元件電連接到被設置在所述發射區域中的所述TFT；以及

所述發射區域中的多個絕緣層，其中，所述多個絕緣層中的至少一個絕緣層延伸到所述透射區域中，并且延伸到所述透射區域中的所述絕緣層的至少一部分具有與所述第一基板基本上相同的折射率。

2.根據權利要求1所述的透明有機發光顯示裝置，其中，所述多個絕緣層中的延伸到所述透射區域中的所述至少一個絕緣層是柵絕緣層、層間絕緣層、鈍化層、覆蓋層和緩沖層中的任一個。

3.根據權利要求1所述的透明有機發光顯示裝置，其中，所述多個絕緣層中的延伸到所述透射區域中的所述至少一個絕緣層具有多層結構，并且其中，所述多層結構包括容納在所述發射區域內的至少一個層和延伸到所述透射區域中的至少一個層。

4.根據權利要求3所述的透明有機發光顯示裝置，其中，延伸到所述透射區域中的所述至少一個絕緣層被插置在所述TFT和所述第一基板之間。

5.根據權利要求4所述的透明有機發光顯示裝置，其中，設置在所述基板上的所述TFT是與氧化物半導體層共面的TFT，并且其中，所述多層結構中的接觸所述氧化物半導體層的層從所述發射區域延伸到所述透射區域中并且不包含氮化硅。

6.根據權利要求3所述的透明有機發光顯示裝置，其中，設置在所述基板上的所述TFT是具有設置在柵電極上的氧化物半導體層的反向交疊TFT，所述多層結構被插置在所述柵電極和所述氧化物半導體層之間，并且其中，所述多層結構中的接觸所述氧化物半導體層的層延伸到所述透射區域中并且不包含氮化硅。

7.根據權利要求3所述的透明有機發光顯示裝置，該透明有機發光顯示裝置還包括第二基板，其中，所述第一基板、所述多層結構中的延伸到所述透射區域中的所述至少一個層以及所述第二基板全部具有彼此基本上相同的折射率。

8.根據權利要求3所述的透明有機發光顯示裝置，該透明有機發光顯示裝置還包括覆蓋所述有機發光元件的封裝層，所述封裝層被設置在所述發射區域的至少一部分和所述透射區域的至少一部分上，其中，所述第一基板、所述封裝層以及所述多層結構中的延伸到所述透射區域中的所述至少一個層具有基本上相同的折射率。

9.根據權利要求8所述的透明有機發光顯示裝置，其中，所述有機發光元件包括陽極、被配置為發射白光的有機發光層以及陰極，并且其中，所述有機發光顯示裝置還包括用于對所述白光進行濾光以形成彩色光的濾色器。

10.一種透明有機發光顯示裝置，該透明有機發光顯示裝置包括：

基板，該基板具有多個子像素區域，所述多個子像素區域中的每一個具有發射區域和透射區域；

第一絕緣層，該第一絕緣層位于所述基板上；

薄膜晶體管TFT，該TFT被設置在所述第一絕緣層上，所述TFT具有柵電極、第二絕緣層、源電極、漏電極和有源層；

第三絕緣層，該第三絕緣層被設置在所述TFT上；

有機發光元件，該有機發光元件被設置在所述第二絕緣層上；以及

封裝層，該封裝層被設置在所述有機發光元件上，

其中，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中的至少一個的折射率與所述基板的折射率的差異超過預定值，并且被容納在所述子像素區域的所述發射區域內。

11.根據權利要求10所述的透明有機發光顯示裝置，其中，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中的至少一個的折射率與所述基板的折射率基本上相同，并且從所述子像素區域的所述發射區域延伸到所述透射區域中。

12.根據權利要求10所述的透明有機發光顯示裝置，其中，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中的至少一個是多層結構，該多層結構包括折射率與所述基板基本上相同的至少一個層以及折射率與所述基板的差異超過所述預定閾值的至少一個層，并且其中，折射率不同于所述基板的所述至少一個層被容納在所述子像素區域的所述發射區域內。