[發(fā)明專利]循環(huán)冷卻加熱裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380067968.X | 申請(qǐng)日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104903995A | 公開(公告)日: | 2015-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 后藤大輔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 科理克株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/3065 | 分類號(hào): | H01L21/3065;F28D1/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 劉曉迪 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 循環(huán) 冷卻 加熱 裝置 | ||
1.一種循環(huán)冷卻加熱裝置,其將對(duì)等離子體蝕刻裝置的腔室供給的循環(huán)流體冷卻、加熱,其特征在于,具有:
罐,其貯存循環(huán)流體;
泵,其使循環(huán)流體在所述罐及所述腔室之間循環(huán);
熱交換器,其在循環(huán)流體和冷卻水之間進(jìn)行熱交換;
加熱裝置,其將所述罐內(nèi)的循環(huán)流體加熱,
所述熱交換器浸漬在所述罐內(nèi)的循環(huán)流體中。
2.如權(quán)利要求1所述的循環(huán)冷卻加熱裝置,其特征在于,
所述罐具有有底箱狀的罐主體、將罐主體的上部堵塞的蓋體,
所述熱交換器及所述加熱裝置安裝在所述蓋體上。
3.如權(quán)利要求2所述的循環(huán)冷卻加熱裝置,其特征在于,
在所述蓋體上安裝液面?zhèn)鞲衅鳎撘好鎮(zhèn)鞲衅骶哂性谒龉迌?nèi)的循環(huán)流體中飄浮的浮子。
4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的循環(huán)冷卻加熱裝置,其特征在于,
在所述罐通過被循環(huán)流體充滿的部分以外的空間形成空氣室,并且設(shè)有使所述空氣室和所述罐的外部連通的通氣裝置。
5.如權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的循環(huán)冷卻加熱裝置,其特征在于,
在所述熱交換器連接有使循環(huán)流體流入的流入路徑,
在所述流入路徑中設(shè)有將在該流入路徑流動(dòng)的循環(huán)流體向所述罐內(nèi)釋放的溢流閥。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





